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科研动态 | 国家工程研究中心最新突破：磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
5 天前
郝跃院士和马晓华教授团队在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）领域取得重要进展。他们成功研发出一种新型p-GaN HEMT器件，该器件采用低温磁控溅射氮化铝（AlN）作为覆盖层。这一创新成果已在国际权威期刊《Applied Surface Science》上发表，题为“Improved p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs with magnetron-sputtered AlN cap layer”。该期刊为中科院二区TOP期刊，影响因子高达6.3。
