4月16日,清华大学物理系教授王亚愚与副教授张金松团队在Nature期刊上发表了最新研究成果。他们研制出一种新型器件结构,在9纳米MnBi2Te4薄片中揭示了反铁磁自旋构型对量子反常霍尔效应的调制作用,并首次发现面内磁场可增强该效应。这一研究突破了MnBi2Te4器件质量的瓶颈,为未来低功耗电子器件的研发和量子技术的应用提供了重要基础。