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台积电2nm、Intel 18A工艺首次对比：一个更密、一个更快
2025-02-14
半导体研究机构TechInsights和SemiWiki公布了台积电N2 2nm与英特尔18A 1.8nm两大尖端工艺的细节，并进行了对比。结果显示，两者各有优势。但需注意，由于目前官方资料不全，且各厂商工艺特色各异，难以直接评判优劣。因此，本文内容仅供参考，实际表现还需看具体产品。台积电N2工艺采用节能纳米片晶体管和互连，适用于AI、HPC和移动SoC应用，速度提升15%，功耗降低30%，芯片密度提高1.15倍以上。而英特尔18A工艺则引入了RibbonFET全环绕栅极晶体管架构和PowerVia背面供电技术，实现了处理器性能的显著提升和能效比的优化。两者在高密度SRAM上的表现也存在差异，台积电N2的SRAM密度优于英特尔18A。然而，英特尔在整体设计逻辑密度方面的优势尚未明朗，因此难以直接判断哪种工艺更优。
