英特尔将在即将举行的2025年VLSI研讨会上详细介绍其Intel 18A制造技术（1.8nm）相对于Intel 3（7nm）工艺的优。正如预期的那样，新的生产节点将在功耗、性能和面积（PPA）指标方面带来显著提升，从而为客户端和数据中心产品带来切实的优势。

英特尔声称，与采用Intel 3工艺技术制造的相同模块相比，Intel 18A制造工艺在相同电压（1.1V）和复杂度下，性能提升25%，在相同频率和1.1V电压下，功耗降低36%。在较低电压（0.75V）下，Intel 18A工艺性能提升18%，功耗降低 38%。此外，与Intel 3相比，Intel 18A工艺的面积缩小率始终达到0.72倍。

Intel 18A制造技术是该公司首个采用环绕栅极（GAA）RibbonFET晶体管并采用PowerVia背面供电网络（BSPDN）的节点，这两项特性使其在PPA方面具有显著优势。

标准单元布局对比凸显了Intel 18A在高性能和高密度库中均较Intel 3实现了显著的物理尺寸缩小。Intel 18A将高性能库中的单元高度从240CH降低到180CH，将高密度库中的单元高度从210CH降低到160CH，这意味着垂直尺寸减少约25%。这种更紧凑的单元架构可以提高晶体管密度，从而直接有助于提高面积效率。

PowerVia BSPDN的使用通过从IC（集成电路）正面卸载电源线，释放信号布线空间并进一步压缩布局，从而实现了更高效的垂直布线。此外，改进的栅极、源极/漏极和接触结构提高了整体单元均匀性和集成密度。这些改进共同使Intel  18A能够提供更高的单位面积性能和能效，从而支持更先进、更紧凑的芯片设计。

据报道，英特尔有望于2025年晚些时候开始为客户端PC处理器“Panther Lake”量产计算芯片，并于2026年初为Clearwater Forest数据中心系统量产芯片。此外，该公司有望在2025年中期完成首批第三方Intel 18A芯片设计的流片。

显然，各方有意为Intel 18A开发第三方芯片。除了发表一篇描述Intel 18A技术的通用论文外，英特尔还计划发表一篇论文，描述一种使用Intel 18A生产节点和BSPDN实现的PAM-4发射器，该论文由英特尔、Alphawave Semi（一家合同芯片设计和IP提供商）、苹果和英伟达的工程师共同撰写。虽然这并不一定意味着苹果或英伟达会将Intel 18A工艺用于量产芯片，但至少表明他们对此有兴趣。

谈到苹果和英伟达，台积电表示，几乎所有合作伙伴都计划采用其N2（2nm）工艺技术，因此可以合理预期该节点的应用将比Intel 18A工艺更广泛。尽管如此，对于英特尔而言，证明其能够开发出具有竞争力的节点并将其提升到量产至关重要，因此Intel 18A将对英特尔未来的代工业务发挥至关重要的作用。（校对/李梅）