1.海门謇公湖基金集聚区正式揭牌 “资本招商上海行”海门专场活动成功举办；

2.小米15 Ultra重磅登场 核心供应链厂商名单一览；

3.全球半导体进出口（1-12月）：日本设备出口增长27.2%，韩国集成电路出口增长39.5%；

4.芯华章：谢仲辉、齐正华出任联席CEO；

5.从产能狂欢到集体亏损：国产碳化硅衬底如何照进“创新之光”？

6.英特尔280亿美元俄亥俄州芯片工厂建设延期至2030年；

7.传台积电A16先进制程2028年将赴美

1.海门謇公湖基金集聚区正式揭牌 “资本招商上海行”海门专场活动成功举办

2月27日下午，“资本招商上海行”海门专场活动在上海张江科学会堂成功举办，活动吸引了元禾璞华、深创投集团、上海复容投资等20余家国内头部基金机构参与，通过搭建资本与产业对接平台，聚力推动科技创新与产业创新深度融合，为海门高质量发展注入强劲资本动能。市财政局局长曹金海，区委书记、区长沈旭东出席活动，并共同为海门謇公湖基金集聚区揭牌。元禾璞华合伙人殷伯涛，深创投集团董事总经理伊恩江等金融投资领域资深专家出席活动。南通科创投资集团有限公司董事长张剑桥，总经理王丽红参加活动。

沈旭东向与会嘉宾介绍了海门经济金融发展情况。他说，海门是一座实力之城、希望之城、实业之城，近年来经济总量持续攀升，空间地理格局全方位重塑，现代化产业体系日益完善，迎来了前所未有的发展机遇，成为各方持续看好、高度青睐的投资热土，众多先进制造业项目、现代服务业项目纷至沓来，为海门发展注入澎湃动力。海门金融生态环境良好，拥有多支产业母基金和市场化运作的投资基金，金融体系完备度、金融机构数量、金融运行质态持续走在南通前列。

沈旭东表示，金融是实体经济的血脉，也是沪海两地加强协作的桥梁纽带。海门将跨江向海作为重要发展方向，按照面向长江的国际CBD总体定位，高品质打造未来智谷智慧矩阵，高效承接上海国际金融中心辐射，全方位导入各类优质金融资源，集聚“耐心资本”、浇灌“创新雨林”。海门有市场、有意愿、有实力成为各类金融机构、优质产业项目在长三角落子布局的最佳目的地，诚挚邀请各位金融投资者多到海门走一走、看一看，找准风口、发现商机、借势发力，成为海门的城市发展合伙人。海门将以最优环境、最好政策、最高礼遇，让每一位创业投资者，体验最满意的全生态服务，收获最丰沛的阳光雨露，让大家在海门发展一路长虹。

曹金海在致辞中指出，2025年是南通“招商引资质效提升年”，此次“资本招商上海行”海门专场活动是南通资本招商系列活动的开局之作。南通作为长三角北翼中心城市，始终坚持基金赋能发展，不断做强基金矩阵，培育壮大“耐心资本”；坚持跨江融合发展，不断加快对接上海，沪通双城“同频共振”；坚持开放共谋发展，不断优化投资环境，涵养生态“筑巢引凤”。诚邀大家携手南通、加码南通，尤其关注有“金三角上小浦东”美誉的海门区，南通将一如既往以最开放的态度、最优质的政策、最周到的服务为大家创造最佳的投资环境，与大家共享发展新机遇、共创繁荣新未来。

区委常委、常务副区长张文锦主持活动。

活动现场，南通科创投资集团、海门科技人才发展集团分别介绍了南通战新系列母基金和海门謇创母基金的相关情况。海门謇公湖基金集聚区正式揭牌，南通科创投资集团有限公司与海门区人民政府签署基金发展战略合作协议。

謇公湖基金集聚区坐落于海门未来智谷内，未来智谷由海鸿集团投资建设，项目占地面积2.3万平方米，将通过一系列优质服务，吸引各类资本汇聚，推动金融与产业深度融合，打造成为资本聚集的热土、金融发展的高地。

殷伯涛、伊恩江作主旨演讲，芯合道、芳拓新材、深圳凌鼎智能等企业进行了项目路演。（文章来源：无线海门）

2.小米15 Ultra重磅登场 核心供应链厂商名单一览

近年来，全球智能手机市场竞争愈发激烈，国内外厂商纷纷发力高端手机领域，试图通过技术创新和品牌升级抢占市场份额。小米作为中国科技企业的代表，也在这一趋势中持续加码高端化战略。2月27日，小米正式推出了其最新旗舰机型——小米15 Ultra，再次展现了其在高端市场的技术实力与创新决心。

作为一款集顶尖技术与创新设计于一身的旗舰机型，小米15 Ultra不仅刷新了智能手机行业的技术标准，更通过大幅提升国产零部件的使用比例，推动国产供应链在高端制造领域的突破，为中国科技产业的全球化发展注入了新动能。

持续深化高端手机战略

2月27日，小米正式发布了其最新旗舰手机小米15 Ultra，起售价为6499元，现已开放预定，并将于3月3日正式开售。此次新机推出了四款配色，包括经典黑银、白色、黑色以及新增的松柏绿。

小米15 Ultra在硬件配置上堪称顶级，搭载了1英寸大底主摄和徕卡2亿像素超级长焦镜头，配备6000mAh金沙江电池，支持卫星通信和AI人像动态壁纸等创新功能。此外，该机还具备IP68级防护、3200nits超级阳光屏、小米龙晶玻璃2.0、超声波指纹识别和立体双扬声器等高端配置。处理器方面，小米15 Ultra搭载了高通骁龙8至尊版，并采用双环路环形冷泵散热系统，确保性能的极致发挥。

值得一提的是，小米15 Ultra全面兼容苹果生态系统，实现了文件、照片和数据的跨平台无缝传输，更是首次支持实况照片的跨生态传输，确保在与苹果设备互传时，能够完整保留照片的动态效果。小米集团总裁卢伟冰强调，小米未来将在产品、服务和生态系统方面全面对标苹果，希望iPhone用户体验小米的创新成果。

卢伟冰进一步表示，小米15 Ultra定位为“巅峰影像科技旗舰”，代表了小米数字系列的最高水准，集中展现了公司在科技创新领域的最新突破。尽管面临成本上涨的挑战，小米15 Ultra依然维持了与上一代相同的定价策略，使其在竞争激烈的高端手机市场中保持了强大的竞争力。

根据市场调查机构CounterPoint Research的数据，2024年全球高端智能手机（售价超过600美元）的市场份额持续增长，从2020年的15%上升至2024年的25%。这一趋势反映了消费者对高性能、先进技术智能手机的需求不断增加。

自2020年小米提出“高端化战略”以来，小米在高端市场的表现显著提升。据其2024年第三季度财报显示，小米手机的平均售价已提升至1102元，并在4000-6000元价位的安卓阵营中销量领先。

IDC数据显示，2024年中国600美元以上高端手机市场中，苹果以58%的份额位居第一，华为回升至25%，小米则以13%的份额位列第三。另据雷军援引的数据显示，2025年1月，小米手机以16.8%的市场份额位居中国第二，仅次于华为。

卢伟冰在社交媒体上透露，小米未来五年的高端化目标之一是在6000元以上的价格段实现规模化突破。他强调，这一突破将以科技创新为前提，而小米15 Ultra正是这一战略的关键产品。

行业分析师指出，国产高端手机的突破口在于“差异化体验”，小米15 Ultra凭借徕卡影像生态和卫星通信功能，有望形成独特的用户粘性，进一步巩固其在高端市场的地位。天风证券认为，小米双Ultra的发布是其过去五年高端化进程中的重要节点，标志着小米首次实现了跨产品部门（汽车+手机）的联动，也是小米向超高端市场进发的开始。

国产供应链深度合作

小米15 Ultra作为高端旗舰机型，凭借更先进的屏幕、摄像头、芯片等核心组件，再次刷新了智能手机行业的技术标准。与此同时，小米15 Ultra在供应链中大幅提升了国产零部件的使用比例，标志着中国科技产业在高端领域的突破，进一步增强了全球竞争力。

小米15 Ultra的成功离不开国内供应链的深度参与。蓝思科技作为小米的长期合作伙伴，为小米15系列提供了前后玻璃盖板、中框等关键零部件。此次，蓝思科技还引入了航空铝、陶瓷等新材料，显著提升了手机的外观质感和耐用性。据供应链消息人士透露，蓝思科技在小米15 Ultra单机中的参与比重非常高，展现了其在高端制造领域的领先地位。

在屏幕方面，小米15 Ultra配备了一块6.73英寸2K LTPO屏幕，由华星光电提供。这块屏幕支持1-120Hz自适应刷新率，最高亮度可达3200nit，并搭载了TCL华星的C9发光材料，显示效果媲美专业显示器，尤其适合专业摄影师使用。此外，京东方、深天马也可能是其屏幕的潜在供应商之一。

小米15 Ultra的摄像头模组由欧菲光、舜宇光学等联合供应，超声波指纹芯片及模组由汇顶科技和欧菲光供应。据供应链消息，小米15 Ultra主摄摄像头模组、长焦内对焦模组和镜头主要由欧菲光供应；潜望式镜头棱镜组件由水晶光电供应，该公司还提供滤光片、微棱镜等光学元器件。CMOS芯片方面，主摄采用索尼1英寸LYT900传感器，长焦为索尼IMX858传感器，前置3200万像素传感器则由豪威提供。这一组合不仅提升了拍摄效果，也展现了国产供应链在高端影像领域的实力。

在电池方面，小米15 Ultra搭载了6000mAh的金沙江电池，采用“介孔碳硅基负极”技术。贝特瑞、道氏技术、璞泰来和圣泉集团等企业可能是其电池材料的核心供应商。此外，德赛电池和欣旺达也继续为小米提供电池模组，确保续航性能的极致表现。

小米15 Ultra的代工服务由工业富联和光弘科技等企业承担。工业富联作为消费电子代工龙头，为小米提供精密结构件及组装服务。此外，信维通信为小米15 Ultra提供天线与射频器件，支持5G及卫星通信功能。卓胜微则提供射频前端芯片，立讯精密参与射频/天线、连接器等环节，为信号传输和连接稳定性提供技术支持。

目前来看，小米15 Ultra的供应链厂商涵盖了行业内的顶尖企业，这些合作伙伴的加入不仅确保了产品的高性能和高品质，也为小米在高端市场的进一步突破提供了坚实的支持。随着小米15 Ultra的正式发布，其在屏幕显示、影像系统和续航能力等方面的卓越表现，有望成为高端市场的又一爆款。

3.全球半导体进出口（1-12月）：日本设备出口增长27.2%，韩国集成电路出口增长39.5%

近年来，随着数字化和智能化趋势的不断加速，全球集成电路市场需求逐步增长，中国作为全球最大的半导体消费市场之一，集成电路的进出口贸易规模一直都处于高位。在如今复杂的国际环境下，全球半导体供应链和产业布局也发生了一些重要变化。

集微网对中国及全球主要半导体进出口国家或地区的半导体产业进出口数据进行统计分析，发布《全球半导体进出口报告——第八期（2024年1-12月）》。

中国大陆半导体进出口情况

据集微咨询统计，2024年1-12月，中国半导体器件、集成电路、半导体设备上升进口额均同比上升，半导体硅片进口额同比有所下降，12月，半导体器件、集成电路、半导体设备和半导体硅片进口额均环比有所上升。

1-12月，半导体器件进口金额266.4亿美元，同比上升1.0%；集成电路进口金额3864.1亿美元，同比上升10.4%；半导体设备进口金额470.8亿美元，同比上升18.9%；半导体硅片进口金额25.3亿美元，同比下降3.8%。

12月，半导体器件进口金额24.9亿美元，环比上升16.2%，同比上升6.2%；集成电路进口金额366.2亿美元，环比上升7.9%，同比上升9.8%；半导体设备进口金额58.6亿美元，环比上升51.4%，同比上升27.8%；半导体硅片进口金额 2.3亿美元，环比上升1.8%，同比上升20.6%。

2024年1-12月，中国半导体器件和半导体硅片出口额均同比下降，集成电路、半导体设备出口额均同比上升，12月，半导体器件、集成电路和半导体设备出口额均环比上升，半导体硅片出口额环比下降。

1-12月，中国半导体器件出口金额481.0亿美元，同比减少21.6%；集成电路出口金额1599.1亿美元，同比增长17.3%；半导体设备出口金额52.1亿美元，同比增长12.4%；半导体硅片出口金额28.9亿美元，同比减少54.7%。

12月，中国半导体器件出口金额36.4亿美元，环比上升11.7%，同比减少9.3%；集成电路出口金额148.4亿美元，环比增长7.7%，同比增长5.6%；半导体设备出口金额4.8亿美元，环比增长24.3%，同比增长34.5%；半导体硅片出口金额1.8亿美元，环比减少1.0%，同比减少54.9%。

从重点商品来看，我国集成电路和半导体设备进出口额均同比增加，一方面全球经济复苏，电子产品需求回暖，拉动半导体行业尤其是集成电路的需求；另一方面美国对向中国出口先进芯片技术设备实施禁令，使中国大陆转而扩大投入成熟制程。

1-12月，集成电路进口来源国家（地区）前五的是中国台湾、韩国、中国大陆、马来西亚和日本，除马来西亚和日本外，其他国家（地区）进口额均同比上升。其中，中国台湾同比上升3.7%，韩国同比上升27.9%，日本同比下滑6.6%；半导体设备进口来源国家（地区）前五的是日本、荷兰、新加坡、美国和韩国，除美国外，进口额均同比上升。其中，日本同比上升25.3%，荷兰同比上升29.9%，韩国同比上升33.3%。

其他主要国家（地区）半导体进出口情况

2024年1-12月，日本半导体器件进口金额34.86亿美元，集成电路进口金额223.04亿美元，半导体设备进口金额50.77亿美元，半导体硅片进口金额12.31亿美元。12月，日本半导体器件进口金额3.02亿美元，集成电路进口金额18.26亿美元，半导体设备进口金额9.96亿美元，半导体硅片进口金额0.93亿美元。

2024年1-12月，日本半导体器件出口金额71.92亿美元，集成电路出口金额312.53亿美元，半导体设备出口金额286.05亿美元，半导体硅片出口金额43.11亿美元。12月，日本半导体器件出口金额6.38亿美元，集成电路出口金额26.85亿美元，半导体设备出口金额28.65亿美元，半导体硅片出口金额3.77亿美元。

2024年1-12月，韩国半导体器件进口金额50.98亿美元，集成电路进口金额604.92亿美元，半导体设备进口金额186.60亿美元，半导体硅片进口金额26.13亿美元。12月，韩国半导体器件进口金额4.36亿美元，集成电路进口金额57.80亿美元，半导体设备进口金额23.26亿美元，半导体硅片进口金额2.46亿美元。

2024年1-12月，韩国半导体器件出口金额37.82亿美元，集成电路出口金额1201.89亿美元，半导体设备出口金额82.51亿美元，半导体硅片出口金额17.09亿美元。12月，韩国半导体器件出口金额2.88亿美元，集成电路出口金额116.72亿美元，半导体设备出口金额7.92亿美元，半导体硅片出口金额1.78亿美元。

2024年1-12月，中国台湾半导体器件进口金额27.62亿美元，集成电路进口金额943.37亿美元，半导体设备进口金额175.73亿美元，半导体硅片进口金额30.62亿美元。12月，中国台湾半导体器件进口金额2.45亿美元，集成电路进口金额96.27亿美元，半导体设备进口金额21.80亿美元，半导体硅片进口金额2.57亿美元。

2024年1-12月，中国台湾半导体器件出口金45.09亿美元，集成电路出口金额1650.42亿美元，半导体设备出口金额49.49亿美元，半导体硅片出口金额10.72亿美元。12月，中国台湾半导体器件出口金额3.71亿美元，集成电路出口金额161.89亿美元，半导体设备出口金额4.08亿美元，半导体硅片出口金额0.87亿美元。

目前，《全球半导体进出口报告——第一期（2024年1-12月）》已在爱集微官网与APP正式上线，欢迎登录爱集微官网、爱集微APP，首页点击“集微报告”栏目，即可进行订购。

4.芯华章：谢仲辉、齐正华出任联席CEO

有报道称，国产EDA厂商芯华章近几个月来发生重大的人事变动，芯华章创始人、董事长兼CEO王礼宾最近卸任公司CEO职位，现在由谢仲辉和齐正华共同担任公司联席CEO。另外，原CTO傅勇及COO傅强已离开公司。

针对该消息，芯华章2月28日对集微网回应表示，当下半导体EDA市场竞争愈发白热化，新技术、新挑战纷至沓来，为进一步强化战略执行力、加速产品与市场协同发展，公司于2025年初完成战略升级：任命谢仲辉先生、齐正华先生担任联席CEO，王礼宾先生将继续担任董事长，聚焦战略资源整合与融资相关工作。

此次调整是芯华章迈向规模化发展的关键一步。谢仲辉先生深耕半导体行业近三十年，兼具产业需求洞察与解决方案设计经验；齐正华先生在复杂系统EDA研发项目及团队管理上具备二十多年丰富经验。两位联席CEO将形成优势互补，带领团队加速核心技术攻关与场景化解决方案落地，强化客户需求响应能力，推动验证工具链的智能化升级与行业渗透。

王礼宾董事长表示：“芯华章已进入技术价值释放与市场拓展并重的关键阶段。此次管理层升级旨在通过更高效的战略传导机制，夯实‘技术-产品-生态’三位一体的竞争力。未来，我将与董事会全力支持管理团队，持续优化资本结构，为长期发展注入动能。”

芯华章科技自成立以来始终秉承“从芯定义智慧未来”的愿景，深耕数字验证领域，打造从芯片到系统的验证解决方案，已发布十几款数字验证产品，取得自主研发专利申请超过200件。

面向未来，芯华章将持续围绕客户关键场景需求完善全流程验证工具链，携手生态伙伴共建开放、高效的芯片开发环境。芯华章坚信，通过管理能效的全面提升与战略资源的精准配置，芯华章将为客户更精确、更高效的创造价值，为行业提供更优解决方案，为投资者带来可持续回报。

5.从产能狂欢到集体亏损：国产碳化硅衬底如何照进“创新之光”？

近年来，新能源汽车、光伏、数据中心等领域的爆发式增长，让碳化硅（SiC）衬底成为半导体行业的“明星材料”。然而，国内企业一拥而上疯狂扩产，导致行业陷入“产能过剩—价格战—亏损”的恶性循环。一边是技术迭代缓慢、产品良率不足，另一边是国际巨头虎视眈眈，国内企业如何在“内卷”中杀出一条生路？

产能过剩与内卷：谁在“赔本赚吆喝”？

“卖得越多亏得越多”——这句话成了2024年碳化硅行业的真实写照。据行业统计，2024年中国6英寸碳化硅衬底的设计产能超过1300万片，但全球实际需求仅150万片，国内实际销售仅75万片，库存积压高达180万片。产能严重过剩让价格战愈演愈烈，6英寸衬底价格从高峰期的每片5000元暴跌至不足2000元，直接击穿成本线。

国内主要碳化硅衬底厂商

头部企业面临“增收不增利”的困境：例如天岳先进和天科合达等龙头企业在2023年分别实现了25万片和29万片的产能，但其财报显示净利润率持续下滑，部分季度甚至出现亏损。天域半导体 2024 年上半年业绩由盈转亏，其 6 英寸 SiC 外延片毛利率从 2023 年上半年的 55.4% 暴跌至 2024 年上半年的 5.7%；8 英寸 SiC 外延片毛利率也从 2023 年下半年的 46.6% 降至 2024 年上半年的 8.3% 。

与此同时，中小厂商则处于“生死一线”的艰难局面：河北普兴电子、中科钢研等企业由于技术落后、产品良率低，不得不以低价抛售库存，部分企业已濒临退出市场的边缘。2024年底，北京世纪金光半导体有限公司破产清算。

碳化硅外延片及衬底的平均售价趋势（资料来源：Frost & Sullivan）

行业盲目扩产背后是“政策补贴驱动”的旧模式。地方政府为争夺产业项目，提供土地、税收优惠，企业为拿补贴仓促上马产能，却忽视市场需求和技术积累。产品同质化严重使得企业在有限市场中只能通过价格竞争争夺份额。由于产品缺乏差异化，企业难以通过技术优势或产品特色来吸引客户，只能通过降低价格来获取订单。一些企业为了争夺市场份额，甚至不惜以低于成本的价格销售产品，导致整个行业的利润空间被压缩，加剧了内卷。这不仅损害了企业自身的利益，也不利于行业的健康发展，使得企业缺乏足够的资金投入到研发和技术创新中，进一步加剧了产品同质化的问题。

一位从业者直言：“大家都在赌未来需求爆发，但赌输的人可能活不到那一天。”业内人士预计，原本应在2026年左右到来的SiC衬底行业整合潮可能会因价格战的激化而提前至2025年中期。

技术生死战：PVT老将VS液相法新秀

技术路线的选择，直接决定企业能否活过这场淘汰赛。

业内专家指出，大多数企业在技术路线上并没有明显的差异，导致产品在性能、质量上较为相似。在碳化硅衬底领域，国内众多企业生产的 6 英寸衬底在关键指标如微管密度、位错密度等方面与国际先进水平仍有差距，但彼此之间差异不大。在器件领域，多数企业生产的碳化硅 MOSFET、二极管等产品在性能参数上也较为接近。

目前，碳化硅衬底的主流制备技术是物理气相传输法（PVT），PVT技术成本低，但缺陷难解；新兴的液相法则技术门槛极高。PVT技术原理类似“蒸馒头”——在2300℃高温下让碳化硅气体凝结成晶体。虽然成本低、工艺成熟，但高温导致晶体内部充满微管、位错等缺陷，良率长期卡在50%以下。这使得PVT技术在提升产品良率和降低成本方面面临瓶颈。“这就像蒸馒头火候没控好，外面糊了里面还没熟。”一位工程师比喻道。

液相法的优势是将生长温度降至1800℃，通过溶液缓慢“结晶”，缺陷率比PVT低一个数量级，微管闭合率接近100%。但这项技术仍处于实验室到量产过渡阶段，生长速度慢、成本高，目前仅有天岳先进等少数企业布局。

上述专家表示，当前PVT技术发展缓慢，产品竞争力不足，而液相法技术凭借其高品质优势迅速崛起，成为新一代碳化硅长晶技术的有力竞争者。企业需通过技术创新和工艺改进找到“制胜之道”，例如企业需要在PVT和液相法之间找到平衡，通过技术创新提升产品性价比，以应对当前的内卷化竞争，同时借助中国在新能源和绿色能源领域的领先地位，实现产业升级和突破。

对此，不同企业也选择了不同的路径。例如某企业探索“PVT+液相法”的创新路线，通过液相法生产高品质籽晶，再利用PVT工艺进行放大生产。这种“杂交”技术路径不仅降低了成本，还显著提升了产品良率；天科合达、露笑科技等企业则豪赌8英寸衬底的量产，试图绕开6英寸市场的激烈竞争，直接进军高端市场，抢占未来发展的制高点。截止2024年，国内已超10家企业8英寸碳化硅衬底进入了送样、小批量生产阶段，包括：烁科晶体、晶盛机电、天岳先进、南砂晶圆、同光股份、天科合达、科友半导体、乾晶半导体、湖南三安半导体、超芯星、盛新材料（中国台湾）、粤海金。

8英寸衬底：下一个战场还是泡沫？

从Wolfspeed最初于2015年首次展示样品到现在，8英寸SiC衬底已经有了7-8年的发展史，随着玩家的增多，8英寸SiC衬底技术的发展和产品研发在近两年明显加快了。

“6英寸已死，8英寸当立”——行业试图用技术升级跳出内卷，但风险同样巨大。

上述专家表示， 8英寸衬底是未来的发展方向，其需求旺盛且价格相对坚挺，但产能释放需加快。企业需关注电动汽车、数据中心、光伏风能、白色家电和AR眼镜等应用场景的拓展，这些领域对碳化硅的需求巨大，将为行业发展带来新机遇。不过8英寸衬底当前在品质、良率方面仍有待提高，且产能建设也需科学规划，否则2027年以后8英寸市场又将重演6英寸的“惨烈”。

为何企业纷纷追捧8英寸衬底？一方面，8英寸衬底的售价约为6000元/片，是6英寸的3倍，且目前市场供不应求；另一方面，特斯拉、比亚迪等车企对车规级芯片的可靠性与一致性提出了更高要求，明确要求使用8英寸衬底，这使得8英寸成为高端市场的刚需。

然而，8英寸扩产也存在隐忧。2024年全球8英寸衬底的实际需求仅约15万片，但国内已规划的产能却超过400万片。若扩产失控，到2027年可能会重蹈6英寸市场的覆辙，再现价格崩盘。一位投资人警告称：“现在盲目涌入8英寸的企业，和3年前抢6英寸的其实是同一批人。”

谁能在这场竞争中脱颖而出？一方面，技术派企业如天岳先进已宣布实现8英寸衬底量产，良率超过70%，并计划在2025年抢占30%的市场份额；另一方面，跨界派企业如光伏巨头晶盛机电凭借其在设备领域的优势切入碳化硅赛道，试图将“硅片经验”复制到碳化硅领域，实现跨界成功。无论如何，在8英寸领域，国内厂商的差距正在缩小，后续有望通过各家厂商的共同努力，推动国内8英寸衬底技术的发展步伐。

新出路：从“价格战”到“场景战”

从应用角度来看，上游产业链的价格下探促进了碳化硅更大幅度的渗透率提升。芯联集成在近期的投资者电话会议中指出，碳化硅产业链的价格优化正是主要源于衬底技术的不断成熟和良率提升，这使得器件生产价格相对稳定，而衬底成本的降低推动了碳化硅从高价格生产向实际市场应用的转变。

未来，随着市场主流从6英寸向8英寸转换，碳化硅产品将更具性价比，这将进一步拓展其在新能源汽车、光伏、储能等领域的应用范围。显然，当行业困于内卷时，新兴应用场景正在打开新的增长空间。

首先是AI数据中心。数据中心的用电量约占全球总用电量的3%，而碳化硅电源模块的能效比传统硅器件高出5%。如果全球30%的数据中心采用碳化硅技术，每年可节省超过200亿元的电费。目前，美国已经开始大规模部署碳化硅模块，而国内企业正在加速追赶这一趋势。

其次是AR眼镜。一副AR眼镜需要2片4英寸碳化硅衬底。如果未来AR设备的年销量达到10亿台（与手机市场规模相当），碳化硅的需求量将是电动汽车领域的10倍。目前，华为和小米等企业已经启动了相关研发工作。

最后是光伏储能。碳化硅逆变器能够将光伏系统的效率提升3%，为每吉瓦（GW）光伏电站带来数千万元的额外收入。然而，目前碳化硅在光伏储能领域的渗透率不足10%，替代空间巨大，未来有望成为万亿级的市场。

生存法则：要么颠覆技术，要么颠覆自己

碳化硅产业作为半导体领域的新锐力量，虽然当前面临激烈的“内卷”困境，但危机之中也蕴含着巨大的机遇。回顾半导体产业的发展历程，每一次挑战都催生了新的突破，每一次困境都推动了产业的升级。

芯联集成指出，未来国内碳化硅市场将呈现集中化趋势，可能仅容纳2到3家国际友商和少数国内企业。随着长期合约的到期，国产碳化硅芯片将在成本压力下逐渐替代进口芯片，成为国内许多定点国内车厂的主芯片的主流选择，尤其是在储氢逆变应用领域，国产芯片有望占据主导地位。

面对碳化硅产业的 “内卷” 困境，企业和行业需要积极探寻破局之路，通过技术创新、拓展应用领域、强化产业链协同以及提升品牌与服务等多方面的努力，实现产业的可持续发展。

因而在行业洗牌的关键时期，企业必须做出战略选择：一是成为技术颠覆者，通过液相法、异质集成等创新技术实现突破，与高校合作攻克缺陷控制难题（如将微管密度降至0.1/cm²以下），并在12英寸超大尺寸衬底领域取得进展，目前天岳先进、烁科晶体等企业已在该领域取得初步成绩；二是成为场景革命者，从单纯的“卖衬底”转向为客户提供“解决方案”，例如为车企定制车规级芯片衬底，并与宁德时代、华为等下游巨头建立联合研发中心；三是成为成本杀手，利用AI技术优化长晶工艺，进一步提高PVT良率，同时从供应链整体布局以降低生产成本。

从国际经验来看，Wolfspeed通过“IDM模式”（设计+制造+封测一体化）实现了全产业链成本的优化，这为国内企业提供了借鉴。国内企业亟需补齐设备、外延等短板，以提升整体竞争力。

结语：光在裂缝处照进来

“神说要有光，就有了光。”——碳化硅行业的“光”，或许是液相法的技术突破，或是AR眼镜的蓝海市场，又或是光伏储能的政策东风。短期阵痛不可避免，但那些活下来的企业，将站在全球半导体产业的金字塔尖。正如一位从业者所说：“我们不需要恐惧内卷，只需要比对手多活一天。”

未来三年，行业发展的关键指标值得我们关注：8英寸衬底的良率能否突破80%；液相法的成本能否降至PVT的1.5倍以内；国产碳化硅器件能否在特斯拉等头部客户的供应链中占比超过30%？

正如上述专家所言：“在撕裂之处，光照进的地方，正是中国国运与产业升级的交汇点。”答案揭晓之时，或许就是中国碳化硅企业真正“站起来”的时刻。

6. 英特尔280亿美元俄亥俄州芯片工厂建设延期至2030年

2月28日，英特尔表示，该公司承诺在美国俄亥俄州投资280亿美元的芯片制造工厂将面临进一步推迟，位于新奥尔巴尼的第一家工厂目前预计要到2030年才能完工。

该公司表示，第一家工厂将在此后不久的某个时候开始运营，即在2030年至2031年之间，将最初的时间表至少延长了五年。

英特尔为了恢复失去的辉煌，曾出价高昂，试图成为其他公司的代工芯片制造商，结果导致其资产负债表紧张，此后英特尔一直在削减资本支出。

英特尔代工制造总经理Naga Chandrasekaran在发给员工的信息中表示，这些变化是为了让英特尔的工厂运营与市场需求保持一致，并负责任地管理资本，“我们正在采取谨慎的方法，以确保我们以对财务负责的方式完成该项目。”

英特尔表示，该公司在美国俄亥俄州的第二家工厂将于2031年完工，并将于2032年开始运营。

7.传台积电A16先进制程2028年将赴美

美国总统特朗普针对半导体产业频频点名“中国台湾抢美国生意”。据了解，台积电将按进度，2026年下半年先在中国台湾量产A16埃米制程，后续“中国台湾、美国连线”，2028年在美国厂亚利桑那州第三厂导入A16制程。

台积电的亚利桑那州第一座晶圆厂开始量产，台积电第一季度董事会特地选在亚利桑那州厂举行，让董事会成员实地了解美国新厂量产状况。市场认为，台积电展现对美国市场的重视，也是对美国政府释出善意，董事会虽无扩大美国投资案，但不排除可能加速在美国导入更先进的2nm、A16制程。

台积电纳米制程技术命名N系列，埃米制程技术命名A系列，A16是台积电第一个揭露的埃米制程节点。

产业专家表示，特朗普扬言对芯片课征关税，台积电势必会与美国政府沟通并拟定应对措施，台积电原本就规划2025年下半年在中国台湾量产2nm、2026年下半年量产A16制程，原先外界推估台积电最快可能于2028年在美国量产2nm，在美国关税压力下，台积电可能加速美国量产2nm时程，或加快导入A16制程，展现善意并满足美国市场客户需求。

台积公司业务开发及全球业务的资深副总暨副共同营运长张晓强2024年表示台积电最先进的A16制程预定2026下半年先在中国台湾投产。

张晓强当时提到美国亚利桑纳新厂的技术进度，2025年第一厂量产4nm，并扩建第二座与第三座厂，持续将先进制程带入台积电最大市场。美前任商务部长雷蒙多2025年初证实，台积电已同意在亚利桑那州生产最先进的芯片制造技术A16。（文章来源：经济日报）