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长光华芯“半导体光子晶体发光结构及其制备方法”专利公布
1 天前
苏州长光华芯光电技术股份有限公司申请的“半导体光子晶体发光结构及其制备方法”专利于2025年3月7日公布，申请公布号为CN119581993A。该专利涉及半导体发光技术领域，通过创新结构提高光场模式调控能力。长光华芯在半导体发光技术上持续创新，展现其技术实力与市场竞争力。
