华虹宏力“双自对准MOSFET的制造方法”专利公布
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来源:集微网
天眼查显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司“双自对准MOSFET的制造方法”专利公布,申请公布日为2024年11月15日,申请公布号为CN118969617A。

天眼查显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司“双自对准MOSFET的制造方法”专利公布,申请公布日为2024年11月15日,申请公布号为CN118969617A。

本发明提供一种双自对准MOSFET的制造方法,提供衬底,在衬底上形成外延层,利用离子注入在外延层上形成阱区,在阱区上形成掩模层;打开有源区和栅极引出区上的掩模层以在其上形成凹槽,之后在凹槽的侧壁上形成第一侧墙,利用掩模层和第一侧墙为掩模刻蚀裸露的外延层,以形成自对准的栅极沟槽;在栅极沟槽中形成沟槽栅极结构;形成填充第一侧墙之间空间的接触孔纵向介质层,去除第一侧墙,形成覆盖有源区和栅极引出区上的第一光刻胶层,光刻打开有源区上的第一光刻胶层,以掩模层和接触孔纵向介质层为掩模进行自对准离子注入,以在裸露的外延层的上表面形成源区。本发明无需接触孔硅刻蚀即可将阱区引出;可进一步降低接触孔光刻偏移对器件的不良影响。