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派恩杰“一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底”专利公布

1 天前 / 阅读约1分钟

来源：集微网

天眼查显示，派恩杰半导体（浙江）有限公司“基于S参数的数据处理方法、装置及电子设备”专利公布，申请公布日为2024年11月15日，申请公布号为CN118969603A。

本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底，其包括：1）准备相同尺寸的多晶碳化硅晶圆和单晶碳化硅衬底片；2）将单晶碳化硅衬底片进行氢注入，将氢离子注入到单晶碳化硅衬底片表面下并形成氢注入层；3）将单晶碳化硅衬底片形成氢注入层的一侧与多晶碳化硅晶圆进行键合并形成晶圆体；4）将步骤3）中得到的晶圆体沿氢注入层剥离单晶碳化硅衬底片。本申请由于使用基板是多晶碳化硅晶圆，单晶碳化硅衬底片层只有几微米，大大降低了成本；同时多晶也不会产生翘曲；此外，多晶电导率要远高于单晶，可以不用减薄。

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