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环球晶圆获芯片法案4.06亿美元补贴，将建设美国首座大批量300毫米硅晶圆工厂
4 天前 /
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来源：集微网
美国商务部将根据《芯片与科学法案》激励计划，向环球晶圆的美国子公司发放高达4.06亿美元的直接资金激励。这笔资金将支持环球晶圆在德克萨斯州和密苏里州的投资项目，预计将创造约1,700个建筑岗位和880个制造业岗位。
美国商务部于12月17日宣布，根据《芯片与科学法案》激励计划，将向环球晶圆（GlobalWafers）的美国子公司GlobalWafers America, LLC (GWA) 和 MEMC LLC (MEMC)发放高达4.06亿美元的直接资金激励。这些资金激励是在2024年7月17日签署的初步条款备忘录以及商务部完成尽职调查后颁发的。
这笔资金将支持环球晶圆在德克萨斯州和密苏里州的投资项目，总额约40亿美元，预计将在两个州创造约1,700个建筑岗位和880个制造业岗位。其中，GWA位于德克萨斯州的工厂将成为美国第一家先进的大批量300毫米硅晶圆工厂；MEMC位于密苏里州的工厂将成为美国300毫米绝缘体上硅(SOI)晶圆的主要生产基地。
环球晶圆还同意将其位于德克萨斯州谢尔曼的现有硅外延片制造工厂的一部分改造为碳化硅外延片制造工厂。美国商务部长吉娜·雷蒙多表示，这些投资将帮助美国在创新和竞争中超越世界其他国家。环球晶圆董事长兼首席执行官Doris Hsu表示，环球晶圆很自豪能够成为“芯片法案”的参与者，也是唯一一家在美国建设先进晶圆设施的全球生产商。
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