1.积塔半导体“基于BCD工艺的全隔离LDNMOS的制作方法及芯片”专利获授权

2.芯海科技“动态响应电路、振荡器电路、芯片、电子设备及方法”专利获授权

3.芯和半导体“一种芯片仿真模拟方法以及装置”专利获授权

4.屹唐半导体“用于半导体工件的低压氧化处理方法和装置”专利获授权

5.天马微电子“发光面板和显示装置”专利获授权

1.积塔半导体“基于BCD工艺的全隔离LDNMOS的制作方法及芯片”专利获授权

天眼查显示，上海积塔半导体有限公司近日取得一项名为“基于BCD工艺的全隔离LDNMOS的制作方法及芯片”的专利，授权公告号为CN112968060B，授权公告日为2024年8月13日，申请日为2019年11月27日。

本发明公开了一种基于BCD工艺的全隔离LDNMOS的制作方法及芯片，全隔离LDNMOS包括P型衬底、高压N阱、N型漂移区、若干STI、P型体区、源区、漏区、闸极和N型漂移区的全隔离区；制作方法包括以下步骤：利用LDPMOS的P型漂移区的制作步骤生成N型漂移区的全隔离区。本发明利用LDPMOS的P型漂移区的制作步骤生成全隔离LDNMOS的N型漂移区的全隔离区，省去了传统全隔离LDNMOS中需要利用一层光罩采用高能注入的形式单独形成P型埋层作为N型漂移区的全隔离区的步骤，通过简化工艺步骤降低了制造成本，并且通过RESURF效应改善了LDNMOS的导通电阻，保证击穿电压以及导通电阻均可以匹配传统全隔离LDNMOS的表现。

2.芯海科技“动态响应电路、振荡器电路、芯片、电子设备及方法”专利获授权

天眼查显示，芯海科技（深圳）股份有限公司近日取得一项名为“动态响应电路、振荡器电路、芯片、电子设备及方法”的专利，授权公告号为CN111786635B，授权公告日为2024年8月13日，申请日为2020年6月1日。

本申请实施例公开了一种动态响应电路、振荡器电路、芯片、电子设备及方法，涉及集成电路技术领域。该动态响应电路应用于振荡器电路，振荡器电路包括至少一对输入对管，每对输入对管包括对称设置的两个输入管；动态响应电路包括开关电容电路以及电压转换电路；开关电容电路，包括多个电容，用于响应时钟信号控制电容进行电荷转移，以获得与时钟信号的频率对应的第一电压；电压转换电路，与开关电容电路连接，用于将第一电压转换为与时钟信号的频率对应的第二电压，并将第二电压输出至输入对管中的一个输入管，以根据第二电压调整输入管的阈值电压。本申请实施例通过获取与频率相关的电压，改变输入对管的尾电流分布，改善振荡器电路的频率特性。

3.芯和半导体“一种芯片仿真模拟方法以及装置”专利获授权

天眼查显示，芯和半导体科技（上海）股份有限公司近日取得一项名为“一种芯片仿真模拟方法以及装置”的专利，授权公告号为CN114091403B，授权公告日为2024年8月13日，申请日为2021年12月3日。

本发明涉及电子自动化技术领域，特别是涉及一种仿真模拟方法以及装置，所述仿真模拟方法包括以下步骤：构建模型，对构建出的模型进行分类；根据模型的不同类型构建网格加密参数；根据所述网格加密参数生成模型初始网格；对具有初始网格的模型进行计算求解。本发明提供的仿真模拟方法通过对模型进行分类，根据模型的不同类型构建网格加密参数，根据构建出的参数生成初始网格，随后进行模型的计算求解。本发明的方法区别于常规根据求解器的反馈进行网格构建的方案，网格生成的时间短，且网格质量好，提高了运算速度。

4.屹唐半导体“用于半导体工件的低压氧化处理方法和装置”专利获授权

天眼查显示，北京屹唐半导体科技股份有限公司近日取得一项名为“用于半导体工件的低压氧化处理方法和装置”的专利，授权公告号为CN116844939B，授权公告日为2024年8月13日，申请日为2023年7月6日。

本发明提供了一种用于半导体工件的低压氧化处理方法和低压氧化处理装置。所述低压氧化处理方法包括步骤：对反应腔室抽吸，使得所述反应腔室的压力低于760托；向所述反应腔室输入包括氢气和氧气的工艺气体；使所述反应腔室内的温度升高至使所述工艺气体生成氧自由基；使所述半导体工件暴露于所述氧自由基中，以在所述半导体工件的表面形成氧化物膜。本发明的方法利用在低压下由包括氢气和氧气的工艺气体形成的氧自由基与半导体工件表面反应，以形成氧化物膜，使得氧化物膜层的均匀度更高，缺陷更少，氧化深度更易控制。

5.天马微电子“发光面板和显示装置”专利获授权

天眼查显示，上海天马微电子有限公司近日取得一项名为“发光面板和显示装置”的专利，授权公告号为CN114068606B，授权公告日为2024年8月13日，申请日为2021年11月9日。

本申请实施例提供了发光面板和显示装置，发光面板包括：衬底；驱动器件层，驱动器件层位于衬底的一侧；多个发光元件，多个发光元件位于驱动器件层远离衬底的一侧；至少一个温度采集电路，温度采集电路设置在驱动器件层之中，且温度采集电路在衬底上的正投影位于相邻的两个发光元件在衬底上的正投影之间。本申请实施例能够在保证发光面板正常发光或正常显示的同时，准确地采集发光元件的工作温度。