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铠侠研发出332层NAND闪存，接口传输速度提升33%
2025-02-21
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来源：集微网
日本芯片制造商铠侠开发新一代332层NAND闪存技术，存储容量和接口速度分别提升59%和33%，功耗降低，数据传输效率显著提高，满足AI数据中心需求。计划在日本生产，同时研发第九代闪存技术。
日本芯片制造商铠侠（Kioxia）开发出具有更高存储容量和提升33%接口速度的NAND闪存技术，预计人工智能（AI）数据中心将对此有强劲需求。
与目前已量产的第八代218层技术相比，第十代332层创新技术将数据存储位密度提高59%。铠侠在与美国合作伙伴 Sandisk（闪迪）的一份声明中表示，新产品将消耗更少的电力，将数据输入功率效率提高10%，输出功率效率提高34%。
该闪存将在日本生产，但尚未公布具体时间表。铠侠正在加入竞争对手的行列，这些竞争对手也在开发300层以上的闪存技术。
用于长期存储的NAND闪存通过分层堆叠存储单元提高了性能，但不断上升的设备成本仍然是一个挑战。
铠侠还在研究一种方法，分别制造带有存储单元的晶圆和带有控制器的晶圆（控制器负责管理读写操作），然后将它们粘合在一起。
铠侠还在研发第九代闪存。该公司表示，将把现有的存储单元技术与新技术结合起来，以提高读写性能。（校对/李梅）
