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华润上华“轻掺杂漏极的制作方法及半导体器件”专利公布
4 天前
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来源：集微网
天眼查显示，无锡华润上华科技有限公司“轻掺杂漏极的制作方法及半导体器件”专利公布，申请公布日为2024年12月31日，申请公布号为CN119230594A。
天眼查显示，无锡华润上华科技有限公司“轻掺杂漏极的制作方法及半导体器件”专利公布，申请公布日为2024年12月31日，申请公布号为CN119230594A。
本发明涉及一种轻掺杂漏极的制作方法及半导体器件，所述方法包括：获取半导体结构，所述半导体结构包括衬底、所述衬底上的栅极，以及所述栅极上的介质抗反射涂层，所述介质抗反射涂层是所述栅极光刻时的抗反射涂层；向所述衬底内进行离子注入，从而在所述衬底内形成轻掺杂漏极区，所述栅极和所述介质抗反射涂层一起作为注入阻挡层。本发明将栅极光刻时的介质抗反射涂层保留至LDD离子注入后，利用介质抗反射涂层与栅极的图案一致的特性，通过栅极和介质抗反射涂层一起对LDD注入的离子进行注入阻挡，因此相比通过栅极进行注入阻挡，具备更强的注入阻挡能力，从而能够避免LDD注入的离子注入导电沟道。
