营收暴跌28%,芯片大厂拟关厂、裁员3000人!2025半导体设备公司展望:成熟产能释放设备需求,全方位推至先进制程;日本拟对十余种半导体相关物项实施出口管制
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来源:集微网
营收暴跌28%,芯片大厂拟关厂、裁员3000人!2025半导体设备公司展望:成熟产能释放设备需求,全方位推至先进制程;日本拟对十余种半导体相关物项实施出口管制。

1.芯片业务低迷,意法半导体计划裁员3000人;

2.ST预计2025年第一季度营收下滑28% 拟暂时关闭部分工厂;

3.2025半导体设备公司展望:成熟产能释放设备需求,全方位推至先进制程;

4.英伟达或将推出新品,光电共封装CPO产业趋势加快;

5.日本拟对十余种半导体相关物项实施出口管制 商务部:坚决维护自身合法权益;

6.英伟达CEO黄仁勋在白宫会见特朗普

1.芯片业务低迷,意法半导体计划裁员3000人

据报道,知情人士透露,由于面临工业和汽车领域长期需求低迷,意法半导体正考虑通过提前退休和自然减员的方式将员工人数减少约 6%。

据知情人士透露,目前正在讨论的裁员计划最早可能在下个月宣布,裁员人数约为 2000 至 3000 人,将影响其在意大利和法国的业务。知情人士补充说,这一决定尚未最终确定,裁员规模仍在审查中。

知情人士称,意大利政府和法国政府共持有该公司 27.5% 的股份,意大利政府正试图限制重组对意大利劳动力的影响。

意法半导体的一位发言人表示:“未来几周,我们将开始与员工代表就自愿性职业支持计划展开建设性对话,包括提前退休。”但拒绝进一步置评。法国财政部和意大利工业部的代表也拒绝置评。

意法半导体首席执行官Jean-Marc Chery在1月30日与记者举行的财报电话会议上表示,意法半导体正在寻找缩减成本的方法,并计划为部分员工制定提前退休计划,并补充说,该公司将开始与员工代表讨论一项基于自愿离职的计划。行业低迷迫使这家总部位于日内瓦的公司在最近一段时间内不断缩减财务目标,其股价在过去 12 个月中下跌了 45% 以上。

意法半导体1月30日称,2024 年将是该行业几十年来最糟糕的一年,并预测第一季度收入低于分析师预期。该公司没有提供全年业绩展望,打破了传统。竞争对手德州仪器上周也给出了令人失望的本季度业绩预测,理由是需求低迷和制造成本上升。

据悉,意法半导体成立于 1987 年,由法国和意大利的国有芯片制造商合并而成,两国都将其视为一家战略企业。该公司为苹果公司和特斯拉公司等公司提供传统芯片,这些芯片通常采用较旧的技术,不需要最先进的生产设施。该公司拥有 50000 多名员工。

2.ST预计2025年第一季度营收下滑28% 拟暂时关闭部分工厂

意法半导体(ST)周四(1月30日)警告称,由于主要市场的低迷持续到新的一年,第一季度的销售额将进一步下降,因此对2025年全年业绩做出预测还为时过早。

首席执行官让-马克·奇里(Jean-Marc Chery)在与分析师的电话会议中表示,由于前景不明朗以及客户持续进行库存调整,很难为2025年提供指导。

Chery补充道:“我们认为将第一季度视为2025年的低点是合理的。”在电话会议召开之前,分析师曾表示,投资者对周期何时触底感到紧张。

ST客户包括特斯以及苹果等,预计第一季度营收为25.1亿美元,较上年同期下降近28%。

伦敦证券交易所的IBES数据显示,该公司早在11月份就已发出警告,称在季节性疲软的第一季度,其收入将比平时下降幅度更大,但该预期仍低于分析师预期的27.2亿美元。

第四季度,ST宣布启动一项新的全公司计划,计划将加强收入增长能力,提高运营效率,从而在2027年之前每年节省高达数百万美元的成本。具体到运营支出(一般业务费用和管理费用以及研发费用),与2024年的成本基数相比,ST预计到2027年,每年可节省总计3亿~3.6亿美元的成本。

ST表示,计划大幅缩短其晶圆厂、装配厂和测试厂的生产天数。

“我们还计划在本季度暂时关闭许多工厂。我们预计,在第二季度,我们将继续……进行大量去库存,”财务总监洛伦佐·格兰迪(Lorenzo Grandi)告诉分析师。

ST还概述了其2025年的资本支出计划,目标是投资20亿~23亿美元。这一数字低于2024年的25.3亿美元和2023年的40亿美元。

ST公布2024年第四季度净收入为3.41亿美元,高于分析师预测的3.26亿美元,这得益于个人电子产品收入的增长,尽管工业产品收入有所下降。

3.2025半导体设备公司展望:成熟产能释放设备需求,全方位推至先进制程

在全球半导体产业复苏,以及5G、人工智能、物联网等新兴技术的快速发展的大背景下,市场对高性能、高密度、高速度的半导体器件需求依然在不断增加,这共同推动半导体设备市场在2024年延续高景气。SEMI预计2024年全球芯片设备销售额将增长6.5%达1130亿美元,高于其今年7月所预测的1090亿美元,并超越2022年的1074亿美元,创下历史新高。

其中,前端工艺领域的晶圆厂设备占比最高,达到1010亿美元,主要因素是人工智能(AI)所用DRAM(动态随机存取存储器)和HBM(高带宽存储)需求增长带动设备投资增加,以及在中国的大规模投资。在后端工艺设备领域,半导体测试设备销售额预计为71亿美元,比去年增长13.8%,组装和封装设备销售额预计为49亿美元,增长22.6%。

SEMI进一步预测,全球芯片设备销售额增幅在未来两年还将继续扩大,2025年将增长7%至1210亿美元、2026年有望增长15%至1390亿美元,持续刷新历史新高。

中国作为全球最大的半导体消费市场,强劲的需求为行业发展提供了动力,国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面不断取得进展,以北方华创、中微公司、盛美上海等为首的设备公司在技术研发和市场拓展方面取得了显著进展,逐渐成为市场竞争的重要力量,在刻蚀机、薄膜沉积设备等部分领域已经实现了与国际品牌的竞争,国产化率也在逐步提升。截至2024年,中国半导体设备国产化率升至13.6%,在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场的国产化率已突破双位数,光刻设备虽然技术成熟度和生产效率仍然与国际先进水平存在差距,但也取得重大突破。

美日荷设备出口管制升级

时移世换,美国为维护自身在半导体领域的技术优势,限制先进半导体技术和设备流向中国等国家,试图遏制他国半导体产业发展。

今年以来,美国再次对24种半导体制造设备进行新的控制,涵盖刻蚀、沉积、光刻、离子注入、退火、量测、检查以及清洁工具等;日本新增23个品类的半导体设备被纳入出口管制对象,涵盖清晰、薄膜沉积、热处理、光刻、刻蚀和测试设备;荷兰管制仍然集中在涵盖制造5纳米及更先进制程芯片的设备。

对美国来说,出口管制打击了部分美国设备制造商,影响其全球市场布局和营收。对日本和荷兰的设备企业而言,严格的出口管制使日本尼康、荷兰ASML等企业净利润“难掩尴尬”。强管制在一定程度上导致全球半导体产业链供应链面临重构,市场信心受挫,限制了全球半导体产业的正常贸易往来和技术交流,降低了产业发展效率。

设备大面积推进至14nm、7nm制程

然而,中国市场对设备管制担忧情绪却在逐步消弭,国内晶圆厂积极向本土设备公司开放工艺验证机会,借此,我国半导体设备厂商仍处在国产化替代的“黄金时期”。

事实上,国内先进制程过往数年已实现部分工艺突破性进展,先进制程的扩产也在按部就班。国内半导体设备厂商仍在进一步加大产品线的研发投入,在重点环节均能实现28nm的制程突破,部分刻蚀、清洗环节已经推进至14nm、7nm甚至更先进制程节点。据悉,中微公司刻蚀设备已经完成3nm制程测试,正在验证过程中;屹唐半导体的去胶设备也推进到3nm的验证阶段;中科飞测无图形晶圆缺陷检测设备已覆盖2Xnm及以上需求,1Xnm工艺节点设备研发进展顺利。

经过多年发展,中国半导体设备产业已具备一定基础,在部分领域取得了显著进展。而面对美日荷新一轮的制裁打压,中国半导体设备自主研发的进程也势必会进一步加快。此外,2024年12月31日,大基金三期首次投资1640亿元,投资标的为国投集新和华芯鼎新,由它们负责二次投资,为半导体设备研发提供充裕的资金。大基金三期重点投资集成电路全产业链中的 “卡脖子” 环节,尤其是国产化率低的半导体设备,如刻蚀设备、薄膜沉积设备、离子注入机、光刻机等,推动这些关键设备的自主研发。

成熟产能持续扩张

随着国内晶圆制造技术的不断进步,生产效率提高,单位芯片的制造成本降低,使晶圆厂扩产更具经济效益,盈利空间扩大。在成熟制程方面,国内已取得显著进步,部分企业在先进制程上也有突破,技术的提升为扩产提供了支撑,企业有能力通过扩产提升市场竞争力。

因而,2025年,中国晶圆代工厂将成为成熟制程增量主力,预估2025年全球前十大成熟制程代工厂的产能将提升6%。其中,中芯国际的中芯东方(上海临港)、中芯京城(北京)等生产基地将在2025年有产能扩张计划,主要为28/22nm生产;华虹集团的Fab9和Fab10在2025年也会进行产能扩张,增加28/22nm成熟制程产能;晶合集成的N1A3也将在2025年有扩产计划,主要涵盖55nm、40nm,以高阶CIS为主要扩产方向。

SEMI的全球晶圆厂预测报告显示,中国大陆的晶圆制造产能将在未来几年内实现显著增长,预计到2025年,月产能将达到1010万片,占据全球晶圆制造总产能的近三分之一。

国内晶圆厂的扩产为国产半导体设备厂商提供了更多的市场机会。随着国产设备技术水平的不断提高,在晶圆厂扩产的需求驱动下,国产设备的市场份额有望逐步提升,加速国产替代进程。

光刻设备产业低调发展

光刻机产业涉及到多个领域和环节,需要产业链上下游企业的密切协同合作。虽然受到欧美技术封锁,关键零部件获取困难,国内光刻机产业链仍然不够完善,无法整合全球先进的供应链资源,难以形成规模化竞争力,但是在2024年也取得了很多突破性成绩。

2024年9月9日,工信部发布的《首台 (套) 重大技术装备推广应用指导目录 (2024年版)》显示,中国的氟化氩光刻机,光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。这一成果意味着中国在光刻机技术上取得了显著进步,虽然不能直接理解为可以制造8nm芯片,但该光刻机通过多重曝光技术理论上能支持更先进制程芯片的制造,如14nm或7nm芯片。这一科研成果直接挑战了美荷两国在该领域的垄断地位,有助于形成完整的产业生态,帮助中国半导体行业在全球科技竞争中赢得更过话语权和市场份额。

此外,上海微电子宣布成功研制出90纳米工艺光刻机,关键核心部件全部实现国产化,在光源、光学系统等方面取得了一定的技术成果,部分技术指标已接近国际同类产品水平,成功进入小批量试产阶段。相比国外同类产品,该款90纳米光刻机在价格上极具优势,每台光刻机售价约4.5亿元人民币,比进口同类产品低40%,2025年计划量产100台光刻机,订单已超过50台,长江存储等5家大型芯片企业签署了采购意向。

另有产业链消息表示,国产28纳米光刻机也将在实现90%零部件自主可控基础上量产,而光刻机产业链,如光学系统、光源、精密机械等领域势必会蓬勃发展,促进相关产业的技术提升和规模扩大,增强产业的整体抗风险能力,保障国家信息安全和产业安全。

高性能计算芯片正在释放后道设备需求

生成式AI发展迅速,数据中心等对高性能计算芯片需求大增,推动半导体设备市场发展,后道设备企业在AI大潮下有望实现快于行业平均的收入增长。高性能计算芯片需要先进封装技术来实现更高的性能和集成度,多采用2.5D、3D封装等先进封装技术。如台积电的CoWoS封装技术,适用于高性能计算领域,需要高精度的固晶机、键合机等设备,来实现芯片与封装基板等的精确连接,并需要先进的塑封机,保证封装的密封性和可靠性,以满足高性能计算芯片在复杂环境下的稳定运行。

此外,高性能计算芯片封装过程复杂,易出现各种缺陷,如芯片与基板连接不良、封装内部空洞、引脚短路等。需要高精度的检测设备,如X射线检测设备,可对封装内部结构进行无损检测,发现内部缺陷;光学检测设备能检测封装表面的缺陷,如划痕、污渍等,保证封装质量。

与此同时,高性能计算芯片的生产规模扩大,对封装测试的效率提出了更高的要求。自动化封装设备、高速测试设备等后道设备可以提高封装测试的效率和产能,满足高性能计算芯片大规模生产的需求。

结语

众多拾柴者在过去几年的快速替代期,都纷沓而至,自主可控仍是国家集成电路发展的大方向,这其中不仅仅涉及是大国博弈的问题,更多是在经济结构调整下完成产业跃迁的深层智慧。而未来,半导体设备产业链也必将是中国对外最有“腔调”的一张明片。

4.英伟达或将推出新品,光电共封装CPO产业趋势加快

近日,有关英伟达将于GTC 2025上推出CPO(光电共封装)交换机新品的消息引发业界广泛关注,如果试产顺利,相关产品有望于8月份即可实现量产。与此同时,台积电、博通、Marvell等也纷纷释出CPO技术的利好消息。人工智能加速迭代,如何将高带宽互连扩展到单个机架之外是业界面临的挑战之一。业内普遍认为,CPO器件可能是在4-8机架系统中,提供数万个器件高速互连的唯一选择。在此背景下,CPO技术及其解决方案必将成为2025年市场追逐的一大热点。

芯片大厂力推,CPO步伐加速

数据交换是限制AI算力升级的关键指标。在此背景下,CPO技术受到了业界格外关注。简单而言,CPO是一种新型光电子集成技术,它将光引擎(光学器件)和交换芯片(如ASIC芯片)共同封装在一起,通过缩短交换芯片与光引擎之间的距离,可以显著提高电信号在芯片和引擎之间的传输速度,从而减小尺寸、提高效率、降低功耗,并实现高度集成。

目前,AI芯片大厂都在致力于推进CPO技术的开发。如前所述,英伟达计划于2025年3月在其GTC大会上推出支持115.2Tbps信号传输的CPO交换机新品,该交换机将搭载36个光引擎。此外,英伟达还计划在2026年量产的Rubin服务器机架系统中首度应用CPO技术。

台积电也完成CPO与先进封装技术的整合,其与博通共同开发合作的CPO关键技术微环形光调节器(MRM)已经成功在3nm制程试产,后续CPO将有机会与HPC或ASIC等AI芯片整合。业界分析,台积电目前在硅光方面的技术构想主要是将CPO模组与CoWoS或SoIC等先进封装技术整合,让传输信号不再受传统铜线路的速度限制。预计2025年台积电将进入送样程序,如果顺利1.6T光模块产品最快2025下半年进入量产,2026年全面出货。

日前,Marvell也宣布在整合CPO技术的定制AI加速器上取得突破,从目前使用铜互连的单个机架内的数十个XPU,拓展到横跨多个机架的数百个XPU,实现了更高的宽带密度,同时具有最佳延迟和功率效率。

2025年商用?应用空间尚待打开

随着CPO器件的开发与推出,市场应用成为新的关注重点。目前主流的说法是,2025年或者2026年,即从1.6T速率开始,传统可插拔光模块的速率升级将有可能达到极限,光互联升级将转向CPO方案。中信建投日前发布的研报表示,1.6T光模块将进入放量周期,硅光、CPO等新技术渗透率将加速提升。

咨询机构LightCounting也预测,CPO出货量预计将从800G和1.6T端口开始,2025年开始商用,2026至2027年开始规模上量。全球CPO端口的销售量将从2023年的5万增长到2027年的450万,4年提升90倍。

然而,产业链一侧虽然对CPO的推进有着迫切需求,但应用场景仍待突破。有业者表示,目前国内大多数的数据中心使用的是400G速率的可插拔光模块解决方案,而且国内各家数据中心内部算力集群采用的通信速率解决方案也不尽相同,CPO在国内还没有完全打开应用市场。

也就是说,目前400G速率的解决方案已经有相对成熟的技术标准可以遵循,产品适配度比较高,而向800G甚至更高的速率升级,意味着更高昂的软/硬件成本和后期运维成本。从现实盈利角度考量,终端企业升级的动力并不高。

技术挑战:封装、材料与热管理

此外,CPO在技术仍然面临一系列挑战,包括封装精度与集成度问题、光学材料的选择与性能限制、热管理与散热问题、制造工艺与成本控制,以及标准化与产业合作问题等。从封装精度上看,CPO器件需要将光引擎和交换芯片以极高的精度封装在一起,以实现高效的光电转换和数据传输。然而,随着数据传输速率的提升,对封装精度和集成度的要求也越来越高,这对现有的封装技术提出了巨大的挑战。

在光学材料的选择上,CPO中使用的光学材料需要具备良好的透光性、稳定性和可靠性。然而,目前的光学材料在某些性能方面仍存在不足,例如片上光源的效率、波导的损耗等,这些都会影响CPO的整体性能。

在热管理与散热问题上,由于CPO是将大量的电子器件和光学器件封装在一起,会产生大量的热量。如果热管理不当,会导致器件性能下降、寿命缩短甚至失效。因此,如何有效地进行热管理和散热是CPO技术面临的一个重要挑战。此外,由于CPO需要使用高性能的光学材料和先进的封装技术,导致制造成本较高。如何在保证性能的前提下降低成本,也是CPO技术商业化应用需要解决的问题。

结语

长期来看,CPO依然是实现高集成度、低功耗、低成本以及未来超高速率模块应用方面最优的封装方案。目前主要厂商英伟达、台积电、博通,也包括国内的腾讯、阿里等均在积极开发相关解决方案。比如通过采用2.5D或3D封装技术,可以实现光引擎和交换芯片之间的高密度互连;使用其他新型材料,如铌酸锂等,以进一步提高CPO的性能;并探索使用热管、热界面材料等新型散热材料和技术,提高CPO的散热性能等。随着技术的不断成熟和标准化的推进,CPO技术有望在未来发挥越来越重要的作用。

5.日本拟对十余种半导体相关物项实施出口管制 商务部:坚决维护自身合法权益

1月31日,商务部新闻发言人就日本拟实施半导体等多项出口管制措施答记者问。

有记者问:1月31日,日本政府宣布拟对十余种半导体相关物项实施出口管制,并将多家中国企业列入“最终用户清单”等。请问中方对此有何评论?

商务部发言人表示,中方注意到有关情况。一段时间以来,个别国家泛化国家安全概念,滥用出口管制措施,对中国半导体等产业实施制裁打压。日方拟实施的出口管制措施,将影响产业链供应链安全稳定,干扰企业间正常商业往来,损害两国企业利益。

当前,日方相关措施正在面向社会公众征求意见。我们希望日方听取业界理性声音,从维护国际经贸规则及中日经贸合作大局出发,及时纠正相关做法,避免有关措施阻碍中日两国经贸关系健康发展,共同维护全球产业链供应链稳定畅通。中方将保留采取措施的权利,坚决维护自身合法权益。

6.英伟达CEO黄仁勋在白宫会见特朗普

在美国准备对半导体征收关税、权衡补贴计划的命运并调查中国人工智能初创公司 DeepSeek 是否绕过出口管制获取该芯片制造商的产品之际,美国总统特朗普周五在白宫会见了英伟达公司CEO黄仁勋。

近日DeepSeek 发布了其 R1 模型,该模型被认为可以与其他公司的聊天机器人相媲美,但成本却只是后者的一小部分。这引发了人们对计划投入数十亿美元开发人工智能技术的质疑,以及中国是否已经缩小了与美国在该领域的差距。

随后的市场反应对于最大的 AI 软件训练芯片提供商英伟达来说尤其强烈,该公司股价周一暴跌,成为历史上最大的抛售之一,原因是人们担心 DeepSeek 开发有效 AI 软件的方法不需要英伟达销售的那么多昂贵的设备。

据知情人士透露,特朗普政府官员已开始调查这家中国公司是否通过新加坡的中间商购买了被禁的英伟达芯片,从而规避了美国对用于人工智能任务的芯片销售的限制。

据一位知情人士透露,黄仁勋与特朗普的会面已经筹备了数周,目的是讨论人工智能政策,此次会面并非由 DeepSeek 的突破引发。

本月初,黄仁勋表示希望新政府放松监管,并曾提出与特朗普会面。与Meta CEO扎克伯格和亚马逊公司创始人贝佐斯等其他科技界领袖不同,他没有参加特朗普在华盛顿举行的就职典礼,而是在农历新年期间前往亚洲,进行了一次计划已久的旅行。

据知情人士透露,周五的会谈将是特朗普与全球市值最高的芯片制造商黄仁勋的首次会晤。英伟达是人工智能热潮的核心,其芯片在中美人工智能竞争愈演愈烈的背景下具有地缘政治意义。

近几周,该公司一直在强烈反对对其处理器全球销售进行全面管控,而黄仁勋则对特朗普政府放松监管负担的可能性表示乐观。

特朗普需要数月时间才能为负责这些政策的团队配备齐全,但有初步迹象表明,他的政府将对美国技术向中国销售采取强硬态度。一些特朗普官员有意限制英伟达销售的低端芯片的出口。

特朗普试图平息人们对 DeepSeek 进展的担忧,他称 DeepSeek 的进展是“警钟”和“积极发展”。特朗普在第二任期内承诺“让美国成为人工智能的世界之都”,签署了一项行政命令,呼吁成立一个跨部门小组,为政策提供建议,并废除前任总统拜登为人工智能开发商制定的安全和透明度要求。