1.京东方“驱动电路、显示面板和显示装置”专利公布；

2.华虹宏力“一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法”专利公布；

3.OPPO“用于信号传输的方法和设备”专利获授权；

1.京东方“驱动电路、显示面板和显示装置”专利公布；

天眼查显示，成都京东方光电科技有限公司“驱动电路、显示面板和显示装置”专利公布，申请公布日为2024年9月24日，申请公布号为CN118692416A。

本申请实施例提供一种驱动电路、显示面板和显示装置，其中，驱动电路包括：至少一个驱动单元，与像素行一一对应设置，驱动单元包括第一输出子电路、第二输出子电路和第三输出子电路，第一输出子电路连接于控制信号输出端，第二输出子电路连接于交流信号端和控制信号输出端，第三输出子电路连接于移位传递信号输出端；其中，在t0时刻，移位传递信号输出端输出第一电平信号且控制信号输出端输出第二电平信号。本申请实施例的技术方案可以控制每一像素行是否刷新，使显示面板能够在多个像素行的排布方向上任意分区域显示，从而使显示面板的显示区域可以随使用者的操作而灵活变化，满足多种使用场景。

2.华虹宏力“一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法”专利公布；

天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法”专利公布，申请公布日为2024年9月24日，申请公布号为CN118692914A。

本发明提供一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法，包括提供衬底，衬底表面形成有外延层，在外延层上形成图案化的硬质掩膜层；以硬质掩膜层为掩膜，对外延层进行初步刻蚀，在外延层中形成浅沟槽；对浅沟槽的侧壁进行阱注入；以硬质掩膜层为掩膜，对外延层进行再次刻蚀，在外延层中形成目标沟槽；在目标沟槽中形成栅介质层和多晶硅，并进行阱推进，在目标沟槽的侧壁形成阱区；对阱区进行离子注入形成源区；淀积层间介质层并刻蚀形成接触孔；对接触孔底部进行肖特基注入形成肖特基接触。本发明采用沟槽分布刻蚀，两步刻蚀之间增加侧壁阱注入，使阱区仅存在沟槽侧壁，而不在接触孔下方，从而在接触孔下方能进一步形成肖特基接触，达到提升恢复速度的效果。

3.OPPO“用于信号传输的方法和设备”专利获授权；

天眼查显示，OPPO广东移动通信有限公司近日取得一项名为“用于信号传输的方法和设备”的专利，授权公告号为CN115884408B，授权公告日为2024年9月24日，申请日为2018年3月21日。

本申请实施例提供了一种用于信号传输的方法和设备，其特征在于，所述方法包括：第一设备在第一载波上通过第一波束发送至少一个第一信号，所述第一波束包括至少一个波束；所述第一设备在所述第一载波上接收第二设备发送的至少一个第二信号。