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我院在GaN器件辐照效应研究方向取得重要进展
1 天前
中国科大微电子学院杨树和龙世兵教授课题组在GaN器件辐照效应研究上取得新突破。他们共同研发的垂直型GaN功率电子器件，在高能质子辐照环境下仍能维持1700V以上的阻断电压及电导调制能力。这一成果已发表于电子器件领域权威期刊IEEE Electron Device Letters，为GaN器件在强辐照场景中的应用提供了理论指导。
