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长鑫15nm DRAM今年开发明年量产 国产内存加速追赶
4 周前
长鑫存储（CXMT）正加速推进其DRAM技术研发。据韩国媒体报道，该公司已跳过原计划中的17nm制程，直接采用16nm制程技术用于首款商用DDR5产品。同时，长鑫存储还在此基础上开发下一代15nm制程技术，预计2025年内完成开发，并有望在2026年下半年实现商业化。这一进展显示了长鑫存储在半导体技术领域的快速追赶态势。
