长电科技“封装结构及其形成方法”专利公布 - 芯片

7 x 24跟踪全球科技动态

热门话题

白天

搜索

资讯

长电科技“封装结构及其形成方法”专利公布

2025-02-11

江苏长电科技股份有限公司的“封装结构及其形成方法”专利已公布，申请公布号为CN119230530A，公布日期为2024年12月31日。该专利通过芯片背面设置凹槽及散热层，扩大了散热面积，提高了封装结构的散热性能。

上一篇：传RTX 5070 Ti首发供应紧张 5070系列提升有限

下一篇：混合量子模拟器能高精度模拟物理过程

返回列表

热文阅读

2 天前

MWC25观察：从“共建共享5G-A创新成果发布会” 找到通往移动AI时代路径

2 天前

广州算力中心接入阿里通义千问大模型

1 天前

突发！英特尔宣布新CEO陈立武，华人掌舵美国四大半导体巨头

2 天前

下一个“DeepSeek”，可能不会诞生在杭州

2 天前

Mac Studio 首发实测：10 万块的顶配 Mac，能跑满血版 DeepSeek 吗？

2 天前

DeepSeek把“赛博医生”卷疯了？

1 天前

手机厂商，无牌可打

23 小时前

临危受命，陈立武能否创造一个“新英特尔”？

2 天前

AI力：重新定义人类与AI关系的关键能力

2 天前

特斯拉在华遇滑铁卢：月销量“腰斩”，焕新版遭“围剿”

上一篇：传RTX 5070 Ti首发供应紧张 5070系列提升有限

下一篇：混合量子模拟器能高精度模拟物理过程

C114通信网
通信人家园

7 X 24跟踪全球科技动态

发现

资讯话题

热门话题

7 x 24跟踪全球科技动态

快讯

资讯

视频

关于我们

C114通信网

通信人家园