1.芯海科技“存储控制方法、芯片、电子设备及存储介质”专利公布

2.矽睿科技“三轴磁传感器的测试方法及系统”专利获授权

3.华虹宏力“行解码电路及SONOS结构的EEPROM”专利获授权

1.芯海科技“存储控制方法、芯片、电子设备及存储介质”专利公布

据天眼查显示，芯海科技（深圳）股份有限公司“存储控制方法、芯片、电子设备及存储介质”专利公布，申请公布日为2024年9月17日，申请公布号为CN118656016A。

本申请提出一种存储控制方法、芯片、电子设备及存储介质，该方法包括：获取存储器的第一预设区域存储的第一数据；当所述第一数据和预设特征值匹配时，将所述存储器的第二预设区域的擦除权限设置为禁止擦除；其中，所述存储器为可擦写存储器。本申请先获取第一预设区域存储的第一数据，在第一数据和预设特征值匹配的情况下，将存储器上第二预设区域的擦除权限设置为禁止擦除，从而改变存储器上第二预设区域的擦除权限，在第二预设区域上实现了另一种存储方式。本实施例无需改变现有存储器制造工艺，仅仅通过简单的数据设置就可实现，具有生产成本低、准确率高的优点。

2.矽睿科技“三轴磁传感器的测试方法及系统”专利获授权

据天眼查显示，上海矽睿科技股份有限公司近日取得一项名为“三轴磁传感器的测试方法及系统”的专利，授权公告号为CN112596015B，授权公告日为2024年9月17日，申请日为2020年12月28日。

本发明揭示了一种三轴磁传感器的测试方法及系统，所述测试方法包括：将被测三轴磁传感器置入三轴亥姆霍兹线圈中；单独施加X轴、Y轴、Z轴恒定的磁场，并记录在每个轴磁场下X轴、Y轴、Z轴三个轴的输出；通过迭代计算得到设定参数的值；对计算结果进行判断，达到或小于设定的精度时，停止计算，否则继续迭代；利用计算的结果，对三轴传感器进行角度补偿，输出不同磁场下的扫描曲线，得到测试结果。本发明提出的三轴磁传感器的测试方法及系统，可获取芯片的自身灵敏度以及跨轴灵敏度，提高三轴磁传感器的检测精度及检测灵敏度。

3.华虹宏力“行解码电路及SONOS结构的EEPROM”专利获授权

天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司近日取得一项名为“行解码电路及SONOS结构的EEPROM”的专利，授权公告号为CN113870929B，授权公告日为2024年9月17日，申请日为2021年9月29日。

本发明提供一种行解码电路，包括：多组行解码单元，各组所述行解码单元包括：第一、第二、第三和第四预解码子单元、电平移位子单元以及第一、第二、第三和第四电压传输子单元，利用所述预解码子单元接收地址信号并给后级电路提供字线控制信号，以及利用所述电压传输子单元给后级电路提供SONOS线信号。本发明还提供一种SONOS结构的EEPROM。本申请在各组所述行解码单元中，4行预解码子单元和4行电压传输子单元共用1行电平移位子单元，可以减少所述电平移位子单元的数量，从而减少行解码电路的面积占芯片整体面积的比例。