业界对未来存储市场走势判断出现分歧。摩根士丹利近日发布报告看坏DRAM市况，预期明年HBM市场可能供过于求，也有机构预计明年存储市场在AI带动下将实现显著增长。厂商情况也出现分化，在美光发出亮眼财报的同时，有消息称第一大存储模组厂商金士顿已启动降价策略。今年底至明年初的存储市场将受到人们的广泛关注。

与此同时，存储行业的发展还受到新技术的影响。在高端HBM需求畅旺的同时，DRAM和NAND Flash等开始面临越来越严峻挑战。而新兴存储技术如FeRAM、ReRAM、MRAM和PCM等则被寄予厚望。这些新兴技术的发展和应用，将对未来的存储市场产生深远的影响。

存储行业不再有周期？

今年上半年，由于原厂减产举措的长期效应，有效带动了系统终端客户的备货需求。进入第三季度，随着原厂利润回正，部分厂商已经收回此前的全部亏损。但是，下半年行情出现变化，部分应用市场有可能迎来下滑拐点。这种变化不仅影响了DRAM和NAND Flash等不同存储技术产品的市场表现，也反映了整个存储行业在面对市场需求变化时的复杂反应。

摩根士丹利报告开出看坏DRAM市况的第一枪。大摩的观点是，每家内存厂都在根据HBM产出的最佳可能情况进行生产，现阶段业界良好的HBM供应状态至2025年时恐将面临实际产出逐渐赶上，甚至超过当前被高估的需求量。一旦上述问题出现，将导致HBM供过于求。

而分析机构TechInsights则在发布的“2025年存储器市场五大展望报告”中认为，存储器市场，包括DRAM和NAND预计在2025年将实现显著增长。这主要得益于人工智能（AI）及相关技术的加速采用。随着AI的兴起，特别是在机器学习和深度学习等数据密集型应用中，对HBM的需求空前高涨。预计HBM出货量将同比增长70%。同时，随着AI继续渗透各行各业，对大容量固态硬盘（SSD）的需求也在上升。预计数据中心NAND bit 需求增长继2024年约70%的爆炸性增长之后，将在2025年超过30%。

存储厂商的反馈情况也有不同。美光在最新发布的第四财报（6-8月）中，收入同比增长93%。这得益于数据中心DRAM和HBM的需求飙升。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，“我们正以美光历史上最好的竞争地位进入2025财年。我们预计第一财季收入将创纪录，2025财年收入将创下可观纪录，盈利能力将显著提高。”

三星电子看好明年HBM市场。预计到2025年HBM的晶圆投入量将从2024年的16%增至28%。到2028年，定制AI内存市场将从2023年的12.9GB扩大到229.4GB。

然而，有市场消息传出，第一大存储模组厂商金士顿已启动降价策略，开始针对中低级产品进行甩卖清库存。知名半导体分析师陆行之表示，中国台湾地区的存储模组厂商库存普遍高达11个月，且并非仅限于中低级产品。一旦传统DRAM价格下滑，认列库存损失将成常态。

陆行之在9月初时曾警告，存储行业不再有周期。9月28日又发文表示，近期除了能做HBM的存储厂商，如SK海力士、美光、三星获利率回升外，其他PC或消费型电子产品的存储公司不但获利不如预期，甚至还处于亏损或亏损边缘。

对此，有产业内人士指出，除了HBM和数据中心SSD，因AI需求大增外，消费性电子市场表现疲软，旺季不旺。

12层HBM3E新品受关注

尽管整体市况存疑，但在AI浪潮兴起之下，与AI相关存储产品需求依然旺盛，特别是高端HBM产品。这也推动存储厂商加快相关新产品的开发。

SK海力士9月26日宣布率先开始量产12层HBM3E新品，运行速度提高至9.6Gbps。SK海力士表示，12层HBM3E在面向AI的存储器所需要的速度、容量、稳定性等所有方面都已达到全球最高水平。

三星方面，之前也有消息称，三星的8层HBM3E芯片已通过英伟达测试，未来将大规模供货。今年4月三星还表示正在使用旗下子公司Semes的混合键合设备制造16层HBM样品。三星计划在2025年试产HBM4，2026年量产，其中大部分为16层堆叠。

韩国政府已将HBM指定为一项战略技术，并将提供26万亿韩元（196亿美元）的税收减免和其他支持，以促进半导体投资。

美光也在积极推进HBM的开发制造，目标是到2025年将HBM的市场份额提高到与DRAM市占率相当的程度，约 20%-25%。有消息称，美光正在美国爱达荷州博伊西的总部扩建与HBM相关的研发设施，包括生产和验证线。同时，美光还考虑在马来西亚的生产基地，建设HBM的生产能力。

MRDIMM开始进入市场

MRDIMM是一种新型内存技术，随着数据中心对性能要求的日益严苛，传统内存技术在带宽、容量和延迟方面逐渐暴露出局限性，MRDIMM通过组合两个DDR5内存模块，可以双倍的数据速率向主机提供数据。例如，如果两个DDR5 DIMM各自运行在4400MT/s，通过MRDIMM技术整合后，输出的数据传输速率可达到8800MT/s。

MRDIMM技术特别适用于内存密集型应用，如AI推理、模型再训练、高性能计算等。这些应用对内存带宽和容量有着极高的要求，MRDIMM能够显著提升这些应用的效率和性能。

今年7月美光开始送样MRDIMM模块，并表示将于2024年下半年开始批量出货。近日英特尔至强6性能核发布，该处理器为AI和科学计算等内存带宽敏感型工作负载提供了搭载MRDIMM的选择。

英特尔数据中心与人工智能集团副总裁兼中国区总经理陈葆立介绍，至强6性能核处理器能够支持多种不同的工作负载。有些工作负载对内存带宽吞吐量非常敏感。采用MRDIMM可使数据能够快速从SSD转移到更快的内存中，包括与CPU的交互，可以让科学计算获得非常显著的性能提升。此外，对于大模型推理来说，整个逻辑是将模型直接加载到内存中，而不是存储在SSD中。通过内存与CPU、GPU的交互，可以迅速输出答案。

宁畅副总裁兼首席技术官赵雷在对比HBM与MRDIMM的应用时指出，HBM也可以用在CPU上，英特尔曾经在第四代至强的时候推出过采用HBM的产品，但与当前推出的采用MRDIMM的处理器产品是不同的技术方向。相对而言，HBM搭配CPU具有特定的应用领域，它的受众范围相对来说较窄，MRDIMM的产品更泛用或者说能够面向更多行业。

新型存储市场开始增长

人工智能也推动了新型存储器的应用发展。近日，ObjectiveAnalysis和CoughlinAssociates发布报告显示，新型存储器已经开始增长，到2032年应该会攀升至约440亿美元。

目前，新型存储领域较为成熟的技术路线主要有相变存储器（PCM）、磁变存储器（MRAM）、铁电存储器（FRAM），以及阻变存储器（RRAM）4种。PCM通过相变材料相态的变化获得不同的电阻值，MRAM通过磁性材料中磁畴/自旋磁筹的方向变化改变电阻，FRAM利用“铁电”效应来存储数据，RRAM则利用阻变材料中导电通道的产生或关闭实现电阻变化。

由于RRAM独特的随机和电气特性， 基于RRAM的PUF（physical unclonable function物理不可克隆）技术能够为数据提供更强有力的保护，应用于安全存储等领域；此外，高能效、低功耗的RRAM具有丰富的开关动态，可以支持大规模集成、低功耗外围设备和用于构建类脑计算芯片和系统的特定应用架构等特点，使其在人工智能、存内计算和旨在模仿人脑的应用程序中具有显著优势，成为下一代内存的主要竞争者。

北京航空航天大学集成电路科学与工程学院副院长王新河在此前发表演讲时也指出，传统的存储技术无法实现数据高速访问与数据非易失存储的结合，严重制约计算机性能的。MRAM的应用场景，包括高可靠性内存、企业级硬盘、MCU等，发展前景看好。目前我国MRAM产业雏形已经基本成立，制造、设计、设备、应用都已经有厂商参与，我国MRAM产业将持续快速发展。