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1.深南电路“检测单元及其制作方法、光子探测器”专利公布
2.本源量子“量子芯片的测试方法、装置及量子计算机”专利公布
3.飞骧科技“声表面波器件模型系数提取与仿真方法、装置及相关设备”专利公布
4.中国科学技术大学在超薄ZrO2介质薄膜制备研究中取得新进展
5.北大材料学院夏定国课题组在锂电池高容量正极材料研究领域取得新进展
1.深南电路“检测单元及其制作方法、光子探测器”专利公布
天眼查显示，深南电路股份有限公司“检测单元及其制作方法、光子探测器”专利公布，申请公布日为2024年9月6日，申请公布号为CN118604869A。
本申请公开了一种检测单元及其制作方法、光子探测器。包括：刚挠电路板、柔性部及与柔性部连接的刚性部；柔性部包括预设区域，探测电路板与预设区域贴合设置；刚性部用于与处理装置连接；模数转换器件，模数转换器件位于开口，光电转换器件设置在探测电路板的顶面。上述检测单元在预设区域靠近刚性部的一侧可以弯折，从而使得若干检测单元能任意拼接，增大了光子探测器的成像范围。另一方面，通过预设区域设置开口，预设区域在开口以外的部分与探测电路板的底面贴附固定在一起，使的探测电路板的四侧均与刚挠电路板连接在一起，保证了刚挠电路板与探测电路板的导通效果，使得检测单元与处理装置的连接效果更好，提高了光子探测器的检测效果。
2.本源量子“量子芯片的测试方法、装置及量子计算机”专利公布
天眼查显示，本源量子计算科技（合肥）股份有限公司“量子芯片的测试方法、装置及量子计算机”专利公布，申请公布日为2024年9月6日，申请公布号为CN118604562A。
本发明提供了一种量子芯片的测试方法、装置及量子计算机，所述测试方法包括：设置一驱动信号的功率为预设值，对一待测量子比特执行能谱实验，获取实验结果，所述实验结果包括：与所述待测量子比特耦合的读取腔的S21相位随所述驱动信号的频率值的第一变化关系；获取所述第一变化关系中的峰值点及对应的所述驱动信号的频率值；获取所有所述峰值点处所述待测量子比特被激发的概率；当仅有一个所述峰值点处所述待测量子比特被激发的概率达到设定阈值时，获取达到所述设定阈值的所述峰值点处对应的所述驱动信号的频率值作为所述待测量子比特的频率参数。本发明提高了测试效率及测试精度，且后续无需执行Ramsey实验进行验证，简化了流程。
3.飞骧科技“声表面波器件模型系数提取与仿真方法、装置及相关设备”专利公布
天眼查显示，深圳飞骧科技股份有限公司“声表面波器件模型系数提取与仿真方法、装置及相关设备”专利公布，申请公布日为2024年9月6日，申请公布号为CN118607439A。
本发明涉及无线通讯技术领域，公开了一种声表面波器件模型系数提取与仿真方法、装置及相关设备，方法包括以下步骤：步骤S1、获取一批声表面波器件的导纳参数；步骤S2、通过滤波降噪算法去除实测曲线中异常波形和随机噪声，获得实测曲线的真值；步骤S3、通过预设大小的移动窗口配合预设限定条件搜索实测曲线中的特征信息；步骤S4、根据唯象模型的系数分别与电导曲线的电导和电纳曲线的电纳的特征变化关系，分步逐次优化出所有的模型系数；步骤S5、利用神经网络模型开发预设结构尺寸范围内的声表面波器件的仿真方法以及获取的仿真结果。本发明的声表面波器件模型系数提取与仿真方法能够提高声表面波器件的仿真精度。
4.中国科学技术大学在超薄ZrO2介质薄膜制备研究中取得新进展
近日，我院龙世兵教授课题组在ZrO2介质电容器原子层沉积 (ALD) 制备研究方面取得了新的进展。近年来DRAM特征尺寸逐步微缩，保持电容器的高电容值和低漏电的需求日益紧迫，对 high-k低漏电介质材料的制备要求日益增高，高性能电容器制备成为阻碍 DRAM 技术更进一步的关键问题。本工作提出了一种全新的“短脉冲 - 高通氧量”的ALD生长方式，调控介质中锆氧比例，提高了介质 k 值，同时降低了漏电。相关成果以“Oxidizer Engineering of ALD for Efficient Production of ZrO2 Capacitors in DRAM”为题发表于电子器件领域知名期刊 IEEE Electron Device Letters。
DRAM电容器介质材料等效氧化物厚度（EOT）逐步微缩，给介质生长带来了挑战。这项研究系统地控制了介电薄膜ALD生长过程中的氧化剂 (O3) 通量，发现高氧通量可以补偿短脉冲时间带来的负面影响。这种“短脉冲 - 高通氧量”方法可以实现高 k (~47)、低漏电 (2 × 10-8 A/cm2，DRAM 工作电压约为 0.5 V) 电容器的制备，有效降低了器件EOT (~0.55 nm)，同时减少了 ALD 生长介质循环周期时间，提高了DRAM生产效率。与其他报道中锆基器件性能的对比见图1。
图1. （a）J@V=0.5 V与EOT的关系图，对比了本工作与其他报告中的锆基器件性能。值得注意的是，本工作最低EOT可达 0.55 nm，在其中性能最优。（b）ALD循环时间与 k 值报道的关系图，显示出“短脉冲 - 高通氧量”方法的优越性。
高分辨率透射电子显微镜测试结果以及分析揭示了 k 值升高以及漏电降低的机制。从图2中可见，随着氧通量的升高，介质结晶程度升高，k 值随之提升；与此同时，结晶程度的提升使得晶界数量减少，从而改善了器件的漏电。
图2. 高分辨率透射电子显微镜 (HRTEM) 下6 nm ZrO2薄膜器件横截面的图像。1k (a) 和 10k (b) sccm氧通量，显示了非晶态(c，绿色区域)和结晶态(d，粉红色区域) 部分。对不同氧通量样品进行结晶程度的统计，可以看到高氧通量样品结晶程度高(e)，且晶界数量较少(f)。
我院博士生唐心怡为论文第一作者，学院特任教授吕頔和执行院长龙世兵教授为论文通讯作者。此项研究工作得到了国家自然科学基金委区域联合基金项目（U20A20207）的资助，也得到了中国科大微纳研究与制造中心的支持。（来源： 中国科学技术大学）
5.北大材料学院夏定国课题组在锂电池高容量正极材料研究领域取得新进展
近几十年来，锂离子电池中高容量层状氧化物发展的主要技术路线是通过体相掺杂和表面修饰等方法，提高充电截止电压，增大可逆脱嵌锂能力。然而层状氧化物高电压深度脱嵌锂时，晶格本征的应力应变及释氧，引发不可逆相变，电化学性能衰退。考虑层状氧化物中拓扑结构和氧的堆叠在层状氧化物功能中的作用，材料科学与工程学院夏定国教授课题组近年来系统探索了不同结构过渡金属层状氧化物的电化学性能。
在富镍正极材料中，构建有序超结构，调制材料颗粒形貌，优化充放电过程中的应力应变特性，所制备的富镍层状过渡金属氧化物不仅表现出239mAh g−1的高放电比容量，并在4.6V的高充电上限工作电压200次循环后表现了94.5%的优异保持率。与硅碳负极配对的锂离子电池单体能量密度高达404Wh kg−1，300次循环后保持91.2%，该材料展示了其在电动汽车领域巨大的应用潜力。研究论文于7月23日在Nature Sustainability杂志在线发表。这项工作不仅将镍基锂离子电池的能量密度提升至404Wh kg−1的水平，而且为正极材料的结构设计提供了新策略。杨同欢、张琨为第一作者，夏定国为论文通讯作者。
在锰基富锂层状正极材料中构建具有高锂离子扩散系数的孪生结构，在不同的锂离子扩散通道之间搭建"桥梁"，实现二维材料具有三维锂离子扩散特性。制备的材料在0.1C时的比容量为303mAhg-1，在1C时的比容量为253mAhg-1。更重要的是，孪生结构还起到了"防波堤 "的作用，抑制了锰离子的迁移，提高了整体结构的稳定性，从而实现了长期循环稳定性，在200次循环后，1C下的容量保持率为 85%。这种在层状富锂正极中构建三维锂离子扩散通道的策略将为其他层状氧化物正极的研究和开发开辟新的途径，并有可能应用于工业领域。该成果发表在Advanced Materials【2023，35（52）】、EnergyStorage Materials（2024,71）上，第一作者是杨亚丽博士，夏定国为论文通讯作者。同时，针对锰基富锂层状正极材料提出未来的发展方向，论文于年6月22日在Advanced Materials在线发表。李彪是第一作者，夏定国为论文通讯作者。
图1a 富镍层状正极材料中[001]方向原子排列；b 电化学性能
图2a 锰基富锂正极材料孪晶结构；b 电化学性能
上述工作得到国家重点研发计划（2022YFB2502100）和国家自然科学基金重点课题（No.53130202）的支持。（来源： 北京大学）
