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华进半导体 “一种重布线结构的制备方法及重布线结构”专利公布
3 天前
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来源：集微网
天眼查显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司“一种重布线结构的制备方法及重布线结构”专利公布，申请公布日为2025年3月7日，申请公布号为CN119581343A。
天眼查显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司“一种重布线结构的制备方法及重布线结构”专利公布，申请公布日为2025年3月7日，申请公布号为CN119581343A。
本发明涉及重布线结构技术领域，公开了一种重布线结构的制备方法及重布线结构，方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的一侧表面上形成阻挡层、种子层和光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理和显影处理，以在光刻胶层形成过孔窗口和布线窗口，过孔窗口暴露种子层；在过孔窗口暴露的种子层上形成第一金属层；去除布线窗口保留的部分光刻胶；在第一金属层和布线窗口暴露的种子层上形成第二金属层；去除光刻胶层、去除未被第一金属层覆盖的种子层和阻挡层以及去除未被第二金属层覆盖的种子层和阻挡层，形成过孔和布线层；在半导体衬底的一侧表面上形成塑封层，以形成重布线结构。本发明可以消除布线层和过孔的对位偏差，从而提高I/O密度。
