1、摩尔线程 “一种GPU芯片间的数据传输系统及方法、电子设备和存储介质”专利公布

2、智芯微 “适配多种芯片的系统启动方法、装置、电子设备及可读存储介质”专利公布

3、华进半导体 “一种重布线结构的制备方法及重布线结构”专利公布

4、盛合晶微“光电系统封装结构及其制备方法”专利公布

5、芯视元 “LCoS芯片的补偿装置及系统”专利公布

1、摩尔线程 “一种GPU芯片间的数据传输系统及方法、电子设备和存储介质”专利公布

天眼查显示，摩尔线程智能科技（北京）股份有限公司“一种GPU芯片间的数据传输系统及方法、电子设备和存储介质”专利公布，申请公布日为2025年3月7日，申请公布号为CN119576843A。

本公开涉及一种GPU芯片间的数据传输系统及方法、电子设备和存储介质，所述系统包括主机端、本地GPU芯片和远端GPU芯片，所述本地GPU芯片为与远端GPU芯片进行数据传输的GPU芯片，其中：所述主机端响应于跨芯片传输数据指令，确定所述远端GPU芯片的显存空间的地址；所述主机端，确定用于传输数据的至少两种传输链路之间传输数据的比例；所述本地GPU芯片，按照所述比例和所述显存空间的地址，确定传输链路和所述地址之间的映射关系；所述本地GPU芯片，基于所述映射关系，通过所述至少两种传输链路，并行地将数据传输至远端GPU芯片的显存空间。本公开实施例能够更好地适应不同的应用场景和数据传输需求。

2、智芯微 “适配多种芯片的系统启动方法、装置、电子设备及可读存储介质”专利公布

天眼查显示，北京智芯微电子科技有限公司“适配多种芯片的系统启动方法、装置、电子设备及可读存储介质”专利公布，申请公布日为2025年3月7日，申请公布号为CN119576435A。

本公开涉及操作系统技术领域，具体涉及一种适配多种芯片的系统启动方法、装置、电子设备及可读存储介质，所述方法包括：启动预加载器，获取引导加载程序镜像、设备树信息，执行所述预加载器以启动引导加载程序；所述设备树信息包括所述嵌入式系统的硬件信息，所述硬件信息包括所述多种芯片之间设备差异部分的设备路径和设备配置参数；执行所述引导加载程序对所述预加载器进行验签；获取内核OS的内核OS镜像，执行所述引导加载程序对所述内核OS镜像进行验签；执行所述内核OS对所述引导加载程序镜像和所述预加载器进行验签。所述方法能够提高嵌入式系统的启动安全性和对多种芯片的兼容性。

3、华进半导体 “一种重布线结构的制备方法及重布线结构”专利公布

天眼查显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司“一种重布线结构的制备方法及重布线结构”专利公布，申请公布日为2025年3月7日，申请公布号为CN119581343A。

本发明涉及重布线结构技术领域，公开了一种重布线结构的制备方法及重布线结构，方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的一侧表面上形成阻挡层、种子层和光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理和显影处理，以在光刻胶层形成过孔窗口和布线窗口，过孔窗口暴露种子层；在过孔窗口暴露的种子层上形成第一金属层；去除布线窗口保留的部分光刻胶；在第一金属层和布线窗口暴露的种子层上形成第二金属层；去除光刻胶层、去除未被第一金属层覆盖的种子层和阻挡层以及去除未被第二金属层覆盖的种子层和阻挡层，形成过孔和布线层；在半导体衬底的一侧表面上形成塑封层，以形成重布线结构。本发明可以消除布线层和过孔的对位偏差，从而提高I/O密度。

4、盛合晶微“光电系统封装结构及其制备方法”专利公布

天眼查显示，盛合晶微半导体（江阴）有限公司“光电系统封装结构及其制备方法”专利公布，申请公布日为2025年3月7日，申请公布号为CN119581346A。

本发明提供一种光电系统封装结构及其制备方法，通过3D堆叠逻辑存储模块、存储模块、光模块、重新布线层、金属柱、ASIC芯片及TSV复合转接板的设置，可形成一个完整的光电系统封装结构，且可使各模块的传输距离更短，讯号传输更快，有效减少传输功耗，缩小封装面积。

5、芯视元 “LCoS芯片的补偿装置及系统”专利公布

天眼查显示，南京芯视元电子有限公司“LCoS芯片的补偿装置及系统”专利公布，申请公布日为2025年3月7日，申请公布号为CN119580664A。

本申请提供LCoS芯片的补偿装置及系统，涉及显示技术领域。该装置包括：波前测量模块、处理模块及微控制模块；波前测量模块，用于测量待测的LCoS芯片产生的干涉图样，并测量LCoS芯片加载不同测试灰阶图时产生的干涉条纹；处理模块，用于对干涉图样进行处理，得到LCoS芯片的初始面型数据，并对干涉条纹进行处理，生成LCoS芯片的灰阶相位响应曲线；微控制模块，用于根据初始面型数据与灰阶相位响应曲线，得到LCoS芯片的电压相位补偿曲线，以使得基于电压相位补偿曲线对被补偿LCoS装置中的LCoS芯片上各像素点的相位进行补偿，确保补偿结果的准确性，提高了LCoS芯片的相位调制均匀性。