搜索
中欣晶圆“改善重掺B硅片表面划伤的方法”专利公布
10 小时前
/ 阅读约1分钟
来源：集微网
天眼查显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司“改善重掺B硅片表面划伤的方法”专利公布，申请公布日为2025年3月7日，申请公布号为CN119581322A。
天眼查显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司“改善重掺B硅片表面划伤的方法”专利公布，申请公布日为2025年3月7日，申请公布号为CN119581322A。
本发明涉及一种改善重掺B硅片表面划伤的方法，所属硅片加工技术领域，括如下操作步骤：第一步：配比SC1清洗液，清洗剂NH4OH：H2O2配比为1∶2～1∶3。第二步：抛光前对硅片进行清洗，减少硅片表面颗粒粘附。第三步：清洗后将硅片放入水车中，水位浸没硅片。第四步：在精抛前，对精抛液磨粒与纯水的质量配比控制为1∶15～1∶20。第五步：进行精抛时，抛光液流量控制在2～10L/min，精抛布使用时间控制在35小时内。具有操作便捷、效率高和运行稳定性好的优点。通过抛光时减少硅片表面颗粒粘附以及改善精抛工艺，解决了重掺B硅片表面划伤的问题。
