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智芯微“非对称型混合多栅半导体器件及其制作方法、芯片”专利公布
1 周前
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来源：集微网
天眼查显示，北京智芯微电子科技有限公司“非对称型混合多栅半导体器件及其制作方法、芯片”专利公布，申请公布日为2025年2月28日，申请公布号为CN119545855A。
天眼查显示，北京智芯微电子科技有限公司“非对称型混合多栅半导体器件及其制作方法、芯片”专利公布，申请公布日为2025年2月28日，申请公布号为CN119545855A。
本申请公开了一种非对称型混合多栅半导体器件及其制作方法、芯片，属于半导体技术领域。所述非对称型混合多栅半导体器件包括：衬底，包括第一高压阱区，第一高压阱区中设有沿目标方向依次连接的漏极区、第一漂移区和第二漂移区，第二漂移区的掺杂浓度大于第一漂移区的掺杂浓度；第二漂移区中的阱区中设有沿目标方向相间隔的第一源极区和第二源极区，第一源极区靠近第一漂移区一侧的阱区构成第一沟道区，第二源极区底部的阱区构成第二沟道区；第一栅极结构，覆盖第一沟道区；第二栅极结构，位于第一高压阱区内，且覆盖第二沟道区。本申请能够在提高器件的过电流能力的同时，维持了较小的器件面积，保证了器件集成度。
