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中微公司在等离子体刻蚀技术领域实现重大突破
5 天前
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来源：IT之家
近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度， ICP 双反应台刻蚀机 Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到 0.2A（亚埃级）。
IT之家 3 月 26 日消息，近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度，ICP 双反应台刻蚀机 Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到 0.2A（亚埃级）。
据介绍，这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径 2.5 埃的十分之一，是人类头发丝平均直径 100 微米的 500 万分之一。
在 200 片硅片的重复性测试中，氧化硅、氮化硅和多晶硅的测试晶圆，在左右两个反应台上各 100 片的平均刻蚀速度相差，各为每分钟 0.9 埃，1.5 埃和 1.0 埃。两个反应台之间平均刻蚀速度的差别（≤ 0.09%），远小于一个反应台加工多片晶圆刻蚀速度的差别（≤ 0.9%）。
中微公司透露，CCP 的双台机 Primo D-RIE® 和 Primo AD-RIE® 的加工精度，两个反应台的刻蚀重复性和在生产线上的重复性也早已达到和 Primo Twin-Star® 相同的水平。在两个反应台各轮流加工 1000 片的重复性测试中，两个反应台的平均刻蚀速度相差，只有每分钟９埃，小于 1.0 纳米。
