3月24日，位于莫斯科的泽列诺格勒纳米技术中心报告称，已经完成俄罗斯第一台350nm光刻机的开发，已做好批量生产这款350nm光刻机的准备。泽列诺格勒纳米技术中心正在根据第二份国家合同推进开发130nm光刻机，预计2026年完成。

莫斯科市长Sergei Sobyanin表示：“世界上只有不到10个国家/地区能够制造这种半导体制造的关键设备。现在，俄罗斯成为其中之一。”

Sergei Sobyanin指出，俄罗斯的光刻系统与外国同行有显著不同。这是第一次使用固态激光器作为光源——功率强大、节能、寿命更长、光谱更窄。

微芯片制造涉及通过分层工艺在晶圆上创建数十亿个微小的电子元件。光刻是将电路图案从掩模（模板）转移到晶圆上的步骤，从而实现后续的刻蚀和沉积步骤以构建芯片。

光刻机在微芯片制造中起着关键作用，是芯片制造过程中将集成电路的复杂设计图案化到硅晶圆上的核心工具。对于微芯片制造而言，光刻机不仅仅是众多工具中的一种——它们是整个制造过程的关键，决定了晶圆厂的可行性和技术范围。

光刻机有两种类型——DUV（深紫外）和 EUV（极紫外）光刻机。DUV和EUV设备的光源和波长不同，这直接影响它们可以创建的特征的大小和复杂性。

DUV设备使用准分子激光器（248nm的氟化氪（KrF）或193nm的氟化氩 （ArF）发射深紫外光；EUV设备使用激光产生等离子体（LPP）系统，其中CO₂激光器喷射锡液滴以产生13.5nm的极紫外光。

俄罗斯开发的光刻机使用固态激光器，与使用气体激光器的DUV和EUV光刻机不同。

固态激光器在二极管泵浦下具有更高的光学转换效率（高达20%~30%），而CO₂等气体激光器效率较低（10%~15%）。固态激光器使用掺杂固体（晶体/玻璃）作为增益介质，不同于气体激光器（气态介质），可以将增益介质视为激光器内部的“燃料”或“引擎”，它激发来自外部来源（如手电筒灯泡或电）的能量，并将其转化为与激光器相关的强大聚焦光束。

正如莫斯科市长所说，世界上只有不到10个国家/地区能够制造光刻机。它们包括荷兰、日本、美国、中国、俄罗斯等等。

荷兰是全球光刻机领导者。ASML为全球市场批量生产DUV和EUV光刻机。虽然上面列出的其他国家/地区有能力制造DUV（28nm及以上）设备，但仅ASML能够生产EUV（7nm及以下）系统。

俄罗斯有少数几家公司使用进口DUV设备运营晶圆厂。俄罗斯的主要参与者Mikron（总部位于莫斯科附近的泽列诺格勒）可以批量生产90nm芯片。2020年，Mikron获得65nm工艺的资格，但其产能尚不确定。

俄罗斯希望到2027年实现28nm本地芯片制造，到2030年实现14nm本地芯片制造。

2024年10月有报道称，俄罗斯已拨款超过2400亿卢布（25.4亿美元）支持一项大规模计划，到2030年取代外国芯片制造设备。该计划涉及启动110个研发（R&D）项目，以减少对进口晶圆设备的依赖。（校对/李梅）