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台积电第三座美国厂将于今年开始建设 2030年前生产2nm芯片
3 天前
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来源：集微网
台积电第三家亚利桑那工厂的建设计划于今年开始。台积电表示，仍计划在2028年之前在亚利桑那州的第二家工厂开始生产3nm芯片，并在2030年之前在第三家工厂生产2nm及更尖端的芯片。
本月初，台积电董事长兼首席执行官魏哲家与美国总统特朗普站在一起，宣布这家全球最大的芯片制造商将在美国本土再投资1000亿美元，建设五个更先进的芯片设施和一个研发中心。
据悉，台积电首个海外尖端工厂已在美国于去年底投产，现场约有3000名员工。这家芯片巨头现在正忙于在亚利桑那州的第二家更先进的工厂安装洁净室设施，该工厂将于明年开始试生产。而据报道，台积电第三家亚利桑那工厂的建设计划于今年开始。
消息人士称，由于劳动力短缺、材料成本膨胀和文化挑战，台积电的首个美国工厂花了近五年才完成，但台积电现在预计，额外的工厂将以其通常的“两年中国台湾速度”建成。
台积电表示，仍计划在2028年之前在亚利桑那州的第二家工厂开始生产3nm芯片，并在2030年之前在第三家工厂生产2nm及更尖端的芯片。但加快的建设速度，加上公司庞大的新投资计划，可能会让任何担心台积电会变“美积电”的人感到担忧。
在过去五年中，随着美国不断推动将关键芯片生产转移到国内，台积电在美国的计划投资从最初的120亿美元膨胀到2022年的400亿美元，再到650亿美元，并最终达到1650亿美元——超过其最初承诺的十倍，是其最大的一次海外投资。
