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欧洲先进 FD-SOI 中试线启动设计项目征集，目标 2027 年实现 10nm
11 小时前
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来源：IT之家
该项目在 10nm FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅工艺上将采用193nm ArFi DUV 光刻机，结合 SADP 自对准双重曝光技术。
IT之家 3 月 19 日消息，据法媒 ECInews 报道，欧洲先进 FD-SOI 中试线（技术试点线）项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nm FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。
FAMES 项目的协调员 Dominique Noguet 表示基于 10nm FD-SOI 工艺的测试芯片预计将于 2027 年推出。该制程节点将采用 193nm ArFi DUV 光刻机，采用 SADP 自对准双重曝光实现。
FAMES 中试线将提供用于先进 FD-SOI 节点的性能评估 PDK（IT之家注：工艺设计套件），以及用于测试设计的 MPW 多项目晶圆用 PDK。
除逻辑制程外，FAMES 中试线也关注配套的片上嵌入式 NVM 非易失性存储。FAMES 牵头方法国 CEA-Leti 研究所已成功制得 OxRAM（氧化物基阻变存储器）样品，正在关注 FRAM / FeFET（铁电存储器）和 MRAM（磁性存储器）。
