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美光首席财务官 Mark Murphy：12Hi HBM3E 内存即将放量
2 天前
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来源：IT之家
美光宣称其 12Hi HBM3E 在容量是竞争对手产品 1.5 倍的同时功耗也比竞品低 20%。该企业目标在 HBM 细分领域取得 20% 市场份额。
IT之家 2 月 17 日消息，美光执行副总裁兼首席财务官 Mark Murphy 上周在出席分析机构的 Wolfe Research 的会议时表示，美光的 12 层堆叠 HBM 内存产品（12Hi HBM3E）即将放量。
美光宣称其 12Hi HBM3E 在容量是竞争对手产品 1.5 倍的同时功耗也比竞品低 20%。
Mark Murphy 表示，无论目前在 HBM 业务上相对挣扎的三星电子是否能恢复过来，美光的目标都是在 HBM 领域取得同整体 DRAM 相当的市场占比（IT之家注：即 20%）。而 HBM 产能的提升也将改善美光整体的财务数据。
对于 NAND 闪存，这位 CFO 认为该行业的整体状况仍然疲软，因此美光选择减慢制程迁移（如升级至最新 G9 278 层节点）以相对降低供应能力，从而推进库存消耗。整体来看 2025 年的情况将会逐步转好。
