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国家重点研发计划“物态调控”重点专项项目“高MOS沟道迁移率及其低温电子输运与器件研究”启动暨实施方案论证会顺利召开
6 天前
2025年4月14日，国家重点研发计划“物态调控”专项中的“高MOS沟道迁移率及其低温电子输运与器件研究”项目启动会在北京召开。该项目由中国科学院半导体研究所主导，携手北京大学和国防科技大学共同实施。项目目标是研发硅MOS工艺下的量子器件，通过高品质硅MOS栅极材料和高迁移率电子沟道的制备与集成，显著降低信息处理功耗。此举具有重大科学意义和应用价值。
