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宽禁带半导体国家工程研究中心采用金属有机化学气相沉积原位脉冲铝原子辅助法生长的（001）β-Ga2O3外延层
3 周前
宽禁带半导体国家工程研究中心马晓华教授团队的何云龙副教授、陆小力教授等人在Elsevier旗下权威期刊《Journal of Materiomics》上发表了一项重要科研成果。该研究提出了一种创新的脉冲铝原子辅助生长技术，成功克服了氧化镓外延材料制备的关键技术难题。这一突破性的进展为新一代高功率电子器件的研发奠定了坚实基础。通过MOCVD方法，团队实现了(001) β-Ga2O3外延层的原位脉冲铝原子辅助生长，为半导体材料领域带来了新的发展机遇。
