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华润上华“轻掺杂漏极的制作方法及半导体器件”专利公布

2025-02-18

无锡华润上华科技有限公司的“轻掺杂漏极的制作方法及半导体器件”专利已公布，申请公布号为CN119230594A，公布日期为2024年12月31日。该方法涉及获取半导体结构，并通过栅极和介质抗反射涂层进行离子注入阻挡，形成轻掺杂漏极区。

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