三星正在重新设计其 1c DRAM 工艺以提高良品率
2025-02-12

三星正在重新设计其第六代1c DRAM,旨在提升良品率,以确保即将推出的HBM4工艺能够取得优势。此次改革被视为HBM4工艺成功的关键因素。通过调整设计,三星期望在不牺牲性能的前提下,提高生产效率,从而满足市场对高性能内存日益增长的需求。