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三星正在重新设计其 1c DRAM 工艺以提高良品率

2025-02-12

三星正在重新设计其第六代1c DRAM，旨在提升良品率，以确保即将推出的HBM4工艺能够取得优势。此次改革被视为HBM4工艺成功的关键因素。通过调整设计，三星期望在不牺牲性能的前提下，提高生产效率，从而满足市场对高性能内存日益增长的需求。

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