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三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线
2 天前
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来源：集微网
三星计划在平泽P2工厂建设10nm第七代DRAM测试线，以提升产品良率和竞争地位，预计2025年完工。公司将在2025和2026年分别大规模生产1c和1d DRAM，巩固内存市场领导地位。新任DS部门负责人全英铉将推动技术改革，同时三星加大NAND闪存投资，保持全球技术优势。
三星电子将在平泽二厂（P2）建设一条10nm第七代DRAM（1d DRAM）试验线，以加强其竞争地位并提高新一代产品的良率。
据报道，三星计划于2024年第四季度开始建设1d DRAM试验线，预计于2025年第一季度完工。虽然这条1d DRAM生产线具体生产规模的细节尚不清楚，但业内估计，试验线的月产能通常约为10000片晶圆。
三星计划于2025年开始量产1c DRAM，随后于2026年开始量产1d DRAM。该公司在为1c DRAM量产做准备的同时建立这条试验线的决定反映出其积极的发展战略。
该策略旨在巩固三星在2025年的存储市场领导地位，尤其是在高带宽存储器（HBM）领域面临来自SK海力士日益激烈的竞争的情况下。
为此，三星高管决定利用其丰富的劳动力和生产能力来加快未来产品的开发。
业内人士称，新任三星设备解决方案（DS）负责人全英铉（Young-Hyun Jun）的技术背景使他能够直接管理三星的存储技术，从DRAM等核心业务开始，在DS部门内实施重大改革。与此同时，三星也在加大对NAND闪存技术的投资。
最近，三星平泽第一工厂（P1）建立了业界第一条堆叠400层3D NAND（V10）的测试线，而P4的NAND工厂则引进了堆叠286层（V9）的设备。
通过对DRAM和NAND技术的战略投资，三星旨在保持其在全球存储市场上相对于竞争对手的技术优势。加速开发测试线和推进下一代产品的量产，凸显了三星决心在激烈的竞争环境中巩固其领先地位。（校对/李梅）
