(图片来源: AMD)

自AMD发布Ryzen 7 9800X3D处理器以来，已过去一个多月，这款处理器迅速登顶，成为当前全球最快的游戏CPU。为了深入探索AMD的设计精髓，半导体分析师Tom Wassick（通过Hardwareluxx）对这款芯片进行了拆解，其初步报告揭示了令人惊讶的事实：Ryzen 7 9800X3D的大部分结构实际上是由虚拟硅构成，主要用于维持整体结构的完整性。尽管如此，AMD凭借其第二代3D V-Cache设计，在性能上实现了显著提升，从而在与Intel Arrow Lake芯片的竞争中稳操胜券。

Ryzen 9000 X3D系列处理器采用了独特的设计，将SRAM置于发热的CCD（中央计算单元）下方。这种设计通过提供更多的热空间来提升时钟速度，尽管AMD并未详细披露其堆叠技术的具体细节。报告中提到，CCD和V-Cache芯片均被减薄至10微米以下，以便进行混合键合连接。结合BEOL（后端工艺，即实现连接所必需的金属层部分），SRAM和CCD封装的总厚度约为40-45微米。

SRAM裸片的尺寸历来只占整个芯片的一小部分；与66.3平方毫米的CCD相比，Ryzen 7000 3D V-Cache芯片的尺寸为36平方毫米。Tom Wassick的发现表明，SRAM裸片在四边均比CCD大出50微米。从实际情况来看，这部分裸片的大部分区域很可能是空的，但我们仍需等待更多详细信息的披露。

不考虑互连部分，SRAM和CCD的总厚度应小于20微米。为了妥善安置这些小型且脆弱的组件，AMD在顶部和底部添加了厚重的虚拟硅层，以确保结构的完整性。整个封装的厚度大约在800微米左右。除去50微米的裸片堆叠（包括CCD、SRAM和BEOL），顶部有750微米的结构支撑层。换言之，总堆叠的93%是虚拟硅，仅用于保持裸片的完整性。

各层之间通过一层氧化物涂层相互连接。据报道，核心CCD和SRAM之间的粘合层比虚拟硅与两个裸片之间的粘合层更薄，以优化热传导性能。

目前仍有许多未解之谜，Tom Wassick计划在未来通过扫描电子显微镜进一步探究这些问题。尽管在游戏领域被AMD超越，但Intel尚无针对AMD 3D V-Cache技术的直接应对策略，至少在主流市场是如此。不过，我们预计AMD将在下个月的CES展会上宣布推出12核和16核的Ryzen 9 9900X3D以及Ryzen 9 9950X3D处理器。