1.奕斯伟“一种控制电路、源极驱动芯片和显示系统”专利公布

2.芯元基“一种复合衬底、半导体器件结构及其制备方法”专利获授权

3.摩尔线程“GPU指令处理前端模拟装置、系统、方法以及存储介质”专利公布

1.奕斯伟“一种控制电路、源极驱动芯片和显示系统”专利公布

天眼查显示，北京奕斯伟计算技术股份有限公司“一种控制电路、源极驱动芯片和显示系统”专利公布，申请公布日为2024年10月29日，申请公布号为CN118865856A。

本公开实施例提供了一种控制电路、源极驱动芯片和显示系统，该控制电路包括检测电路和放电电路，检测电路和放电电路连接；其中：检测电路，用于检测驱动电压的电压值，在驱动电压的电压值小于预设电压阈值的情况下，生成处于使能状态的放电使能信号；放电电路，用于接收放电使能信号，在放电使能信号处于使能状态的情况下，对伽马参考电压进行放电处理，以使伽马参考电压低于驱动电压；其中，伽马参考电压和驱动电压用于控制预设开关管的工作状态。

2.芯元基“一种复合衬底、半导体器件结构及其制备方法”专利获授权

天眼查显示，上海芯元基半导体科技有限公司近日取得一项名为“一种复合衬底、半导体器件结构及其制备方法”的专利，授权公告号为CN108281525B，授权公告日为2024年10月29日，申请日为2017年12月7日。

本发明提供一种复合衬底、半导体器件结构及其制备方法，所述复合衬底包括：生长衬底；外延缓冲层，位于所述生长衬底上表面；凸起结构，呈周期性间隔分布于所述外延缓冲层上表面；所述凸起结构为半导体介质膜层；图形化保护层，位于所述凸起结构与所述外延缓冲层之间，且位于所述凸起结构的正下方。本发明的保护层起到对外延缓冲层保护的作用，使得外延缓冲层不会受到干法刻蚀工艺中刻蚀气体或聚合物的污染，使得在外延缓冲层表面再次外延生长外延层更加容易，生长工艺窗口更大，可工艺化量产。

3.摩尔线程“GPU指令处理前端模拟装置、系统、方法以及存储介质”专利公布

天眼查显示，摩尔线程智能科技（北京）有限责任公司“GPU指令处理前端模拟装置、系统、方法以及存储介质”专利公布，申请公布日为2024年10月29日，申请公布号为CN118860495A。

本公开涉及一种GPU指令处理前端模拟装置、系统、方法以及存储介质。该装置包括：启动处理模块在检测到启动信号的情况下，从寄存器模拟模块获得第一信息，并根据第一信息重置渲染状态表，以及将根据第一信息生成的具有预设结构的第二信息发至指令处理模块；指令处理模块根据第二信息从GPU虚拟显存中获取各目标指令并解码后依次发送至GPU流水线模拟模块，以使GPU流水线模拟模块依次执行接收到的各指令；启动信号用于指示寄存器模拟模块已经完成配置，第一信息包括与目标指令的执行相关的信息，第二信息包括按照预设结构排布的、与目标指令的执行相关的存储信息。装置的运行效率高、模块间耦合度小、便于扩展和更新。