【专利】华星光电“栅极驱动电路及显示面板”专利公布;捷捷微电“一种智能IPM电压保护方法及系统”专利公布;士兰微“双向功率器件”专利获授权
2024-11-03 / 阅读约3分钟
来源:集微网

1.华星光电“栅极驱动电路及显示面板”专利公布

2.捷捷微电“一种智能IPM电压保护方法及系统”专利公布

3.士兰微“双向功率器件”专利获授权


1.华星光电“栅极驱动电路及显示面板”专利公布

天眼查显示,深圳市华星光电半导体显示技术有限公司“栅极驱动电路及显示面板”专利公布,申请公布日为2024年10月11日,申请公布号为CN118762647A。

本申请公开了一种栅极驱动电路及显示面板,该栅极驱动电路包括移位寄存器,该移位寄存器包括上拉控制模块、反相模块、下拉维持模块、第一上拉模块以及第二上拉模块,通过第一上拉模块、第二上拉模块共同生成第n级初始化控制线中初始化控制信号的脉冲,可以通过第一上拉模块来生成该初始化控制信号在写入帧中的脉冲宽度,也可以通过第二上拉模块来生成该初始化控制信号在保持帧中的脉冲宽度,以此实现了初始化控制信号在不同帧中的脉冲宽度,从而解决了初始化控制信号的脉冲宽度在写入帧、保持帧中难以单独调节的技术问题。

2.捷捷微电“一种智能IPM电压保护方法及系统”专利公布

天眼查显示,江苏捷捷微电子股份有限公司“一种智能IPM电压保护方法及系统”专利公布,申请公布日为2024年10月11日,申请公布号为CN118763599A。

本发明属于功率半导体应用技术领域,具体说是智能I PM电压保护方法及系统。所述智能I PM内集成有输入高压采样模块和硬件过欠压保护模块,输入高压采样模块与硬件过欠压保护模块相连,利用输入高压采样模块对智能I PM的输入高压进行采样形成采样信号发送给硬件过欠压保护模块,当输入高压大于等于预设过压值V1或小于等于预设欠压值V2时,硬件过欠压保护模块直接控制所述智能I PM的驱动单元关断智能I PM的IGBT。采用该方法及系统的安全性高,成本较低。

3.士兰微“双向功率器件”专利获授权

天眼查显示,杭州士兰微电子股份有限公司近日取得一项名为“双向功率器件”的专利,授权公告号为CN115101524B,授权公告日为2024年10月11日,申请日为2020年10月27日。

本申请公开了一种双向功率器件,该双向功率器件包括:半导体层;第一掺杂区,位于半导体层中;第一沟槽区的多个沟槽,位于第一掺杂区中,将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区;位于多个沟槽中的栅介质层、控制栅、第一屏蔽介质层、第一屏蔽栅、第二屏蔽介质层、第二屏蔽栅,其中,第一屏蔽介质层将控制栅和第一屏蔽栅分隔,第二屏蔽介质层将第二屏蔽栅和第一屏蔽栅分隔,第二屏蔽介质层和栅介质层的厚度均小于第一屏蔽介质层的厚度。该双向功率器件通过设置第二屏蔽介质层和栅介质层的厚度均小于第一屏蔽介质层的厚度,从而可以通过栅电极施加不同电压达到形成不同电场的效果。