机构:Q4 DRAM市场仅HBM价格环比上涨
2024-10-11 / 阅读约3分钟
来源:集微网
预计2024年第四季度DRAM市场的高带宽内存(HBM)价格将上涨,而通用DRAM的价格将停滞不前。由于通用产品的低迷和进入HBM市场的延迟,三星电子第三季度的盈利受到冲击。

预计2024年第四季度DRAM市场的高带宽存储器(HBM)价格将上涨,而通用DRAM的价格将停滞不前。由于通用产品的低迷和进入HBM市场的延迟,三星电子第三季度的盈利受到冲击。许多专家表示,这家韩国半导体巨头必须认真地向人工智能(AI)芯片巨头英伟达供应HBM,才能从低迷中恢复过来。

根据市场研究公司TrendForce的预测,今年第四季度通用DRAM的价格预计将比上一季度上涨0%~5%,但随着HBM在DRAM市场所占份额的上升,包括HBM在内的所有DRAM的平均价格预计将比上一季度上涨8%~13%。

第三季度通用DRAM价格的增长率为8%~13%,但预计第四季度将停滞不前,原因是经济衰退导致消费需求放缓,以及中国存储器制造商的供应增加。存储制造商扩大HBM生产将导致通用内存供应量下降,这将成为价格上涨的一个因素,但不足以抵消需求的低迷。

这对尚未开始向英伟达供应第五代HBM(HBM3E)的三星电子来说是一个艰难的境遇。三星公布的2024年第三季度临时营业利润为9.1万亿韩元,低于市场预期。这比上一季度的10.44万亿韩元下降12.8%。

这主要归咎于三星负责半导体业务的设备解决方案(DS)部门业绩不佳。三星解释说:“在存储器业务方面,尽管服务器/HBM存储器的需求稳健,但由于一些移动芯片客户的库存调整、中国存储器制造商传统产品供应增加,以及一次性支出和汇率影响,DS部门业绩逐季下滑。”

TrendForce表示,预计第四季度的合约价格将下降5%~10%。TrendForce预计,LPDDR5X DRAM(最先进的产品和第七代芯片)的价格将保持不变,因为其库存水平相对合适。

其中一个关键因素是,三星尚未向HBM最大的企业客户英伟达供应8层HBM3E存储器。

三星的竞争对手SK海力士于9月份开始量产12层HBM3E产品,并在明年第一季度开始向英伟达供应。HBM通过多层DRAM大幅提高数据处理速度,其制造难度大、成本高,但由于AI行业的爆炸式增长,对其需求激增。

作为HBM市场的领导者,SK海力士在2024年第二季度实现营业利润5.4685万亿韩元,营业利润率为33%。第三季度营业利润为6.764万亿韩元,比上一季度增长23.7%。与SK海力士一起为英伟达提供HBM的美光公司2024财年第四季度的营收超过市场预期,达到77.5亿美元,比上一季度增长17%。

TrendForce预测,HBM在DRAM总收入中的份额将从2023年的8%增长到2024年的21%,到2025年将超过30%。具体而言,HBM3E芯片将占HBM bit需求的80%,其中12层产品将占一半。(校对/孙乐)