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天域半导体“表面多孔结构的外延层生长方法”专利公布
2024-09-29
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来源：集微网
天眼查显示，广东天域半导体股份有限公司“表面多孔结构的外延层生长方法”专利公布，申请公布日为2024年9月6日，申请公布号为CN118610157A。
天眼查显示，广东天域半导体股份有限公司“表面多孔结构的外延层生长方法”专利公布，申请公布日为2024年9月6日，申请公布号为CN118610157A。
本发明公开一种表面多孔结构的外延层生长方法，包括：（1）在惰性气体气氛下，将碳化硅衬底升温至1590℃～1630℃之间，并将反应室内降压至80mbar～240mbar之间；（2）将所述惰性气体切换成氢气，所述主体气流区域的气体流速小于所述稳定气流区域的的气体流速；（3）在所述主体气流区域以稳定的气体流量进一步通入特气；（4）在外延生长末尾段对所述主体气流区域开始通入刻蚀气体；（5）将所有气体切换为惰性气体，取出具有多孔结构的外延层的外延片。该方法一步到位得到具有多孔结构的外延层，不会额外引入新的杂质，具有较高的良品率；同时多孔结构的外延层解决了下游黄光工艺光刻胶的附着问题，取消黄光工序中增粘剂的使用，由此减少工艺步骤，降低生产成本。
