天眼查信息显示，上海芯导电子科技股份有限公司于2025年9月26日获得一项发明专利授权，专利名称为“SGTMOS管的器件结构制备方法”，专利申请号为CN202411442909.2，申请日为2024年10月15日。该专利通过在外延层表面和第一凹槽侧壁依次形成第一热氧化层、隔离层和沟槽氧化层，并在满足沟槽侧壁氧化层厚度要求的基础上，对第一热氧化层厚度进行减薄处理，以减少对外延层的消耗，从而提高SGT管的耐压性能。此外，该专利还通过设置隔离层，使第一多晶硅层突出部分表面的栅间氧化层可按需求厚度生成，从而降低SGT管的栅源电容。今年以来，芯导科技已新获得14项专利授权，较去年同期增长133.33%。