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三星4nm逻辑芯片良率超40% 助力12层HBM4研发
2 天前
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来源：集微网
三星电子首次将代工工艺应用于HBM4逻辑芯片生产，测试良率超40%，提升性能并灵活应对定制化市场需求。其成功关键在于10nm级第六代DRAM的稳定量产。
三星代工工艺首次应用于作为第六代高带宽存储器（HBM4）大脑的“逻辑芯片”，据报道，三星电子代工部门生产的逻辑芯片测试良率稳定，这将为在HBM技术竞争中一直落后的三星电子对12层HBM4的开发和量产提供动力。
据业内人士透露，采用三星电子代工4nm工艺生产的逻辑芯片的测试生产良率已超过40%。
一位半导体业内人士解释道，“初始测试生产良率达到40%是一个不错的数字，我们可以立即开展业务”，并补充道，“通常，（代工流程良率）从10%左右开始，随着进入量产阶段，良率会逐渐提高”。
三星电子在HBM3E（第五代 HBM）市场落后于SK海力士和美光，目前正全力投入生产HBM4逻辑芯片。HBM4逻辑芯片采用代工精细工艺，不仅可以提高芯片性能，还可以根据客户所需的设计进行生产，从而灵活响应“定制 HBM”市场。
现在，三星电子HBM4业务的成败取决于内存业务部门正在开发的10㎚级第6代（1c）DRAM，HBM4 12层产品配备1c DRAM和逻辑芯片。如果三星电子能够稳步量产1c DRAM，那么将能够在HBM4性能上取得优势。
半导体业内人士表示，“从三星电子的角度来看，剩下的任务是稳定搭载在HBM上的DRAM以及封装技术。”
