ST微电子发布全球制造基地重组和现代化三年计划
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来源:集微网
STMicroelectronics宣布全球制造基地重组计划,以提升竞争力和强化全球半导体领导地位。计划中,公司将优先投资于300mm硅片工厂和200mm SiC片工厂,并提高旧版150mm硅片和成熟的200mm硅片的生产效率。此外,公司将引入人工智能和自动化提高技术研发、制造效率。在2025至2027年,公司计划在法国强化数字技术,在意大利强化模拟技术和电源技术,在新加坡强化成熟的技术。

STMicroelectronics(ST微电子)于4月10日宣布了其全球制造基地重组计划的详细信息。该计划旨在进一步提高竞争力,强化其作为全球半导体领导者的地位,以及通过全球化利用技术研发、设计和量产的战略资产,确保其作为IDM的长期可持续性。具体而言,该公司优先投资于为未来准备的基础设施,如300mm硅片工厂和200mm SiC片工厂,并期望这些工厂能达到重要的规模。此外,该公司还将最大限度地提高由旧版150mm硅片和成熟的200mm硅片的生产能力的生产效率。

ST微电子将继续利用现有的所有基地,并赋予其中一些基地重新定义的使命,以支持长期的成功。在持续关注可持续性的同时,该公司将引入人工智能和自动化,以进一步提高技术研发、制造、可靠性和认证过程的效率,并投资于升级整个企业使用的技术。

在2025年至2027年的3年制造足迹重建期间,ST微电子计划在法国强化数字技术,在意大利强化模拟技术和电源技术,在新加坡强化成熟的技术。在意大利的Agrate工厂,该公司计划将300mm硅片的生产能力提高到每周4000片,并根据市场情况,通过模块化扩展将其提高到每周14000片。此外,随着对300mm硅片的重视,该工厂的200mm硅片制造设施将转向MEMS制造。