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奕斯伟“用于晶圆外延生长的基座和装置”专利公布
2 周前
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来源：集微网
天眼查显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司“用于晶圆外延生长的基座和装置”专利公布，申请公布日为2025年2月28日，申请公布号为CN119530959A。
天眼查显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司“用于晶圆外延生长的基座和装置”专利公布，申请公布日为2025年2月28日，申请公布号为CN119530959A。
本发明提供了一种用于晶圆外延生长的基座和装置，涉及半导体技术领域，所述用于晶圆外延生长的基座包括：用于承载晶圆的圆盘形承载结构；圆盘形承载结构包括N个第一扇形区和N个第二扇形区，第一扇形区以晶圆的<110>晶向对应的径向方向为中心轴，第二扇形区以晶圆的<100>晶向对应的径向方向为中心轴，N为正整数；每一个第一扇形区的边缘区域的厚度大于除边缘区域之外的内部区域的厚度；每一个第二扇形区的厚度是均匀的。本发明可以控制基座的边缘区域和中心区域分别与晶圆之间的温度差不同，进而与晶圆的不同生长速率产生的不同厚度值相互作用，使得晶圆整体的厚度更为均匀，提高晶圆的Nano品质。
