1.2024年度吴文俊人工智能科学技术奖奖励公告；

2.学院研究团队最新IEDM：广角宽谱复眼芯片；

3.刷新了国际记录！北京量子院在光声量子存储器领域取得新突破；

1.2024年度吴文俊人工智能科学技术奖奖励公告；

依据《吴文俊人工智能科学技术奖励章程》和《吴文俊人工智能科学技术奖励实施细则》相关规定，中国人工智能学会对提名2024年度吴文俊人工智能科学技术奖的项目，通过形式审查、初评函评、初评会评和终评会评等环节，经过为期10天的公示，经吴文俊人工智能科学技术奖励委员会审核通过，报中国人工智能学会理事长批准，决定授予53项为2024年度“吴文俊人工智能科学技术奖”，现将结果予以公告。

2024年度吴文俊人工智能科技成就奖1项；科技贡献奖3项；自然科学奖一等奖5项、二等奖4项；技术发明奖一等奖4项、二等奖4项；科技进步奖特等奖1项、一等奖5项、二等奖10项、三等奖1项；青年科技奖15项。授奖名单附后。

特此公告。

中国人工智能学会

2025年2月20日

2024年度吴文俊人工智能科学技术奖授奖名单

注：排名按照奖励等级（特、一、二、三等奖）进行排序，同等级、同奖种排名不分先后

2.学院研究团队最新IEDM：广角宽谱复眼芯片；

近日，浙江大学集成电路学院徐杨教授、俞滨教授、西湖大学文燎勇研究员合作团队，提出了一款广角宽光谱复眼CMOS芯片。该工作以题为“First Demonstration of 2.5D Out-of-Plane-Based Hybrid Stacked Super-Bionic Compound Eye CMOS Chip with Broadband (300-1600 nm) and Wide-Angle (170°) Photodetection”发表在IEDM。

浙江大学集成电路学院博士生谢云斐、汪晓晨，西湖大学博士生贺靖为共同第一作者。这项工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金面上项目、浙江大学集成电路学院流片计划、西湖大学光电研究院的支持。

宽光谱和大视角探测技术在光通信、遥感和国防监控等领域具有关键作用，尤其是在1550 nm红外波段。目前基于非硅材料的宽光谱探测器成本高昂，而依赖曲面或球形结构的广角设计难以与CMOS技术集成，限制了规模应用。昆虫复眼具有宽视野和卓越的光感知能力，为突破这些技术瓶颈提供了仿生学启示。

图 以仿生2.5D-BIC平面代替曲面或半球使芯片拥有了宽光谱广角探测的能力

受昆虫复眼结构的启发，浙江大学与西湖大学团队联合推出同时具备宽光谱(300-1600 nm)和广角(170°)探测功能的超仿生复眼CMOS混合堆叠芯片。通过TSV(硅通孔)与堆叠键合技术，该芯片在CMOS架构中引入2.5D面外微结构与BIC(连续域束缚态)效应，结合复眼仿生设计，增强了紫外-可见-近红外波段的探测能力。芯片采用后道加工的CMOS平面代替传统大尺寸曲面结构，赋予芯片广角探测能力，兼具广角性与平面设计的集成便利性。这项工作同时突破了传统硅基CMOS芯片的光谱极限与角度瓶颈。该芯片采用结合AAO模板结构的晶圆级半导体工艺制备，集成0.18 µm CMOS电路与单原子层石墨烯，实现了高兼容性。本研究将CMOS技术、仿生设计与量子光学原理融合，为高性能光探测领域提供了一种解决方案。该成果发表于IEDM (2024, 41.4.1-41.4.4)，并被Nature Electronics期刊在Research Highlight专栏亮点报导 (2024, 7, 1067) (DOI：https://doi.org/10.1038/s41928-024-01324-8)。

3.刷新了国际记录！北京量子院在光声量子存储器领域取得新突破；

2月28日，北京量子信息科学研究院（以下简称“量子院”）官宣，量子计算云平台李铁夫、刘玉龙团队与芬兰Aalto大学、QTF量子研究中心Mika A. Sillanpää 教授合作，基于高硬度的单晶碳化硅薄膜材料，于近日成功研制出多模态长寿命的光声量子存储器。存储器在模式稳定性以及信息存储时长等关键性能上刷新了国际记录。

2025年1月31日，相关成果以“Degeneracy-breaking and long-lived multimode microwave electromechanical systems enabled by cubic silicon-carbide membrane crystals”为题在线发表于国际知名期刊《自然-通讯》（Nature Communications）上。

光声接口器件作为量子信息处理的关键技术，一直以来都备受科研人员的关注。高品质因子（Q 因子）机械振子在这些领域中扮演着至关重要的角色，其性能的优劣直接影响到量子信息的存储、传输和处理效率。然而，传统材料和结构的机械振子在 Q 因子和频率稳定性等方面存在一定的局限性，难以满足日益增长的量子技术需求。3C-SiC 作为一种具有优异性能的半导体材料，以其高热导率和高应力特性，为高 Q 因子机械振子的研发提供了新的可能。

研究团队在 3C-SiC 薄膜晶体中发现了机械振动模式简并破缺现象。表现为非均匀应力的作用下，原本简并的机械模式发生频率分裂，形成具有微小频率差异的模式对。这些模式对不仅保留了高 Q 因子的特性，还展现出独特的模式形状，为微波光声接口系统的精确控制提供了更多选择。

为验证 3C-SiC 膜晶体的性能，研究团队设计并搭建了一套精巧的实验装置。该装置包括一个三维超导微波谐振腔和一个机械平行板电容器芯片。3C-SiC 膜芯片被精心制作并安装在谐振腔内，通过金属化处理和特定电极结构设计，实现了与微波腔场的高效耦合。实验中，研究人员采用了连续波泵浦-探测方案和脉冲泵浦-探测序列，对机械振子的性能进行了全面测试和表征。通过精确控制外部驱动功率和探测信号的频率，研究人员能够实时监测机械振子的动态行为，包括其共振频率、Q 因子以及能量衰减率等关键参数。

单晶碳化硅薄膜所提供的声学模式具备极高的频率稳定性，为构建多模态光声存储器件开辟新篇章。实验中研究团队表征了21 个机械模式，其中 19 个模式的Q 因子超过了108，展现出极高的品质因子。此外，研究人员还实现了4035秒，超过长达一小时的群延迟时间。这一成果在微波电机械系统中尚属首次。受益于极高的稳定性，振子能量退相干结果如图3d所示，单晶碳化硅薄膜为慢光技术和光信号存储开辟了新的篇章。