美国曾经在半导体和集成电路的开发和制造方面领先世界。2800亿美元的美国《芯片与科学法案》旨在重建美国作为半导体制造超级大国的地位，并减轻对外国晶圆厂的依赖。

在巨额融资法案通过两年后，英特尔雄心勃勃的代工战略因又一次高管变动和剥离陷入困境的制造部门的呼声而陷入质疑。

英特尔可能是在建立国内替代外国晶圆厂的努力中发挥了核心作用，但它并不是唯一一家符合这一要求的美国大型芯片制造商。

去年前首席执行官帕特·基辛格突然离职后，英特尔还在等待制定新的发展路线，而美国内存巨头美光科技则已做好准备，与规模更大的竞争对手 SK 海力士和三星电子展开竞争。

英特尔尚未证明其大众市场工艺技术的商业可行性，而美光则已展示出生产尖端内存模块的能力。尽管规模比韩国竞争对手小得多，但美光仍是全球最大的内存供应商之一。

在美国《CHIPS法案》超过60 亿美元的资助下，美光公司正在积极推进扩大其制造能力的计划。

到目前为止，美光已承诺在未来 20 年内投资超过 1000 亿美元，扩大纽约、爱达荷州和弗吉尼亚州的晶圆厂产能。美光在上周的最新公告中透露，计划斥资 21.7 亿美元扩建位于弗吉尼亚州马纳萨斯的内存工厂，目前该项目预计将获得另外 2.75 亿美元的 CHIPS 资金、高达 7000 万美元的州政府资金，以及更多的税收减免。

尽管三星电子和 SK 海力士也获得了 CHIPS 法案的资助，但两家公司均未披露在这些工厂生产内存模块的计划。三星位于德克萨斯州泰勒的工厂计划生产基于 4nm 和 2nm 工艺技术的逻辑芯片。与此同时，SK 海力士计划投资 38.7 亿美元在印第安纳州西拉斐特建立一个内存封装工厂。

存储为何重要

过去几年里，由于人工智能的缘故，记忆已然具有了新的重要性。

内存模块有多种形式，从拇指驱动器和 SSD 中使用的 NAND 闪存，到智能手机和笔记本电脑等系统内存中使用的 DRAM。

美光控制着 DRAM 市场约 20% 至 25% 的份额，以及 NAND 闪存市场略低于 12% 的份额。

然而，在 2025 年，每个人都将目光投向了 DRAM 的一个特定子集，即高带宽内存(HBM)，它是生成式 AI 热潮的核心——GPU 和 AI 加速器的重要组成部分。这些模块能够提供的容量越大、带宽越大，这些芯片运行更大模型的速度就越快。

在这方面，美光公司远远落后于其规模更大的竞争对手，因为它决定跳过HBM3 代，直接进入 HBM3e，而 HBM3e 现在才开始通过 Nvidia 的 H200 等产品进入市场。

据 TrendForce 行业观察人士称，2022 年至 2024 年间，美光在 HBM 市场的份额将从 10% 左右下降到 5.1%。SK 海力士和三星目前的份额分别为 52.5% 和 42.4%。

尽管如此，美光表示，到 2025 年底，其 HBM 库存已经售罄，首席执行官 Sanjay Mehrotra 乐观地认为，该公司的份额将在 2025 年继续增长。

抵御地缘政治风暴

尽管拥有数十亿美元的《CHIPS法案》拨款，美光公司仍然处于地缘政治风暴的中心。

不久前，中国市场占了美光一半以上的营收。但近年来，这一数字急剧下滑，因为北京方面以含糊其辞的“隐藏的产品问题导致的安全风险”为由禁止美光产品，这显然是针对美国对长江存储实施制裁的报复。

然而，虽然美光公司是首批因中美贸易战而遭受附带损害的公司之一，但它可能不是最后一家。

去年 12 月，拜登政府在最新一轮贸易战中专门针对HBM。根据新规定，HBM 供应商需要获得美国商务部的特别许可才能在该地区销售 HBM，这是美国为阻止中国 AI 发展而采取的最新行动。这对 HBM 巨头 SK Hynix 或三星的影响有多大还有待观察。

即将上任的总统唐纳德·特朗普将于本月晚些时候重返白宫，这也使情况更加复杂。这位候任总统毫不掩饰地表示，他不喜欢《CHIPS法案》，也不喜欢从中获利的台积电等外国芯片制造商。

在大选前参加 Joe Rogan Experience 播客节目时，特朗普谴责了《CHIPS 法案》，称其“太糟糕了”，并攻击台湾。特朗普说：“他们偷走了我们的芯片业务。”

不久之后，众议院议长迈克·约翰逊暗示共和党可能会废除这项 2800 亿美元的融资法案。纽约共和党众议员布兰登·威廉姆斯赞扬了美光在纽约的投资，并表示不会支持破坏这项投资的行为，约翰逊随即收回了这一言论。

约翰逊后来表示，可能会“制定立法进一步简化和改善该法案的主要目的——取消其昂贵的法规和绿色新政要求”。

在这些评论发表后，拜登政府很快就正式向《芯片和信息处理系统法案》的受益者发放了补贴。但这些补贴仅占《芯片和科学法案》价值的一小部分，大部分补贴是以先进半导体制造设施 25% 的税收抵免的形式发放的。

另一方面，特朗普关于外国芯片制造商的评论以及他政府的“美国优先”议程表明，一旦他上任，美光以及其他美国芯片公司可能不会受到该法案的任何修改。

这位当选总统的议程包括对来自盟友和竞争对手的进口产品征收统一关税，目的是通过提高使用外国产品生产产品的成本来刺激国内制造业。

对韩国商品征收关税可能会促使 AMD 和 Nvidia 等美国芯片公司（这些公司在其产品中大量使用 HBM）转向美光。虽然这可能对美光有利（假设它能够足够快地扩大产能），但正如我们之前讨论的那样，大家的共识是，关税只会导致最终客户的价格上涨。

美光大举投资DRAM，

韩国双雄慌了？

预计美国美光今年将像去年一样积极扩大DRAM产能。基于美国政府确认的巨额补贴，现有DRAM工厂改造的投资计划于近期具体化。

据业内5日消息，美光去年底宣布将在弗吉尼亚州马纳萨斯地区投资高达21.7亿美元（约合3.19万亿韩元）

美光科技的马纳萨斯半导体工厂是一家内存工厂，于 2000 年代初开始运营。此后，2018年开始投资建设新生产线和研发中心，约7年来首次追加投资。

美光计划通过这笔投资更新现有马纳萨斯晶圆厂的设施，并为汽车、航空航天和国防等特殊行业批量生产尖端 DRAM。不过，美光并未提及具体的转产投资计划或扩大产能规模。

美国商务部计划为此项投资提供总计2.75亿美元。美国商务部与美光科技于去年12月签署了内容相同的初步交易备忘录。

与此同时，美光正在投资扩大爱达荷州和纽约州的 DRAM 产能。纽约将投资约1000亿美元，爱达荷州将投资250亿美元。美国商务部确认将为该投资提供价值61.65亿美元的半导体 补贴。

美国正在积极致力于加强其国内内存供应链，其中美光处于领先地位。美国商务部还表示，“有了美光的投资，到2035年美国在先进存储芯片制造市场的份额将从不足2%增加到10%左右。”

在台湾，我们专注于扩大HBM（高带宽内存）产能。去年8月，美光以81亿新台币（约合3500亿韩元）从台湾友达手中收购了位于台中和台南的两家工厂，并决定将这些工厂改建为HBM等尖端产业的DRAM生产线。

三星电子和SK海力士等国内公司也在投资扩大尖端DRAM和HBM生产能力。

自去年以来，三星电子一直在平泽 P2 和 P3 生产线以及华城 15 和 16 生产线进行投资，将现有的传统（成熟）DRAM 转换为 1b（第五代 10 纳米级）DRAM。下一代产品1c（第六代10纳米级）DRAM的量产线最近开始建设。

自去年以来，SK海力士一直在利川M14和M16进行1a和1b DRAM的转换投资。尤其是M16晶圆厂，据悉目前下层大部分投资已完成，上层投资洽谈正在进行中。

美光预测明年“内存衰退”

美国内存制造商美光大幅下调了对下季度业绩的预期。由于除人工智能之外的整体IT需求低迷，预计NAND出货量尤其会下降。我们还计划明年保守地执行设施投资。

12月19日，美光宣布2025财年第一季度（2024年9月至2024年11月）销售额录得87亿美元。

这一销售额同比增长84%，环比增长12%。这与美光上一季度提出的预测和证券共识一致。每股收益为1.79美元，也与最初的预测大体一致。

按产品划分的销售额比例，DRAM 约为 64 亿美元，NAND 约为 22 亿美元。就DRAM而言，ASP（平均售价）上涨至高个位数，但就NAND而言，则降至低个位数。

不过，美光预计下一季度（2024年12月至2025年2月）的销售额将较上季度大幅下滑，至77亿美元至81亿美元。这一预测明显低于证券市场普遍预期的 89.9 亿美元。每股收益预测为 1.33 美元至 1.53 美元，低于股市共识（1.92 美元）。

美光之所以下调明年初的业绩预期，是因为需求低迷。在这份财报中，美光预计数据中心对 DRAM 和 NAND 的需求将持续增长，但预测 PC 和汽车等部分行业的需求将相对较低。

尤其是NAND业务预计将表现疲软。美光将2025财年的NAND位总量（产能增长率）从之前的10%中增幅下调至10%低增幅。消费级SSD库存持续调整被认为是主要因素。